武汉大学物理科学与技术学院方国家

sankeshu

方国家教授，武汉大学物理科学与技术学院电子科学与技术系主任，博士生导师。享受湖北省政府专项津贴，湖北省高校跨世纪学科带头人，湖北省新世纪高层次人才工程。在AFM、JMC、EDL、APL等国际重要刊物发表SCI论文一百余篇。现为国际信息显示器协会(SID)会员、《真空科学与技术学报》编委。《物理学报》等重要学术杂志的特邀审稿人。

方国家(Fang Guojia)

能源材料与半导体器件课题组链接

职称/职务：教授(Professor)、博士生导师、电子科学与技术系主任

地址：430072 湖北省武汉市武汉大学物理科学与技术学院(School of Physics and Technology, Wuhan University, Wuhan 430072,P. R. China)

电话(Tel)：+86-(0)27-68752481转3316(Lab);

E-mail: gjfang@whu.edu.cn

一、学习及工作经历

1984年7月毕业于湖北师范学院物理系，获学士学位。

1986.9~1988.1 上海科技大学(现上海大学)物理系学习固体物理专业和光学专业研究生课程。

1993.9～1995.12华中理工大学凝聚态物理专业研究生，获理学硕士学位及华中理工大学优秀硕士学位论文一等奖。

1996.3~1997.3 在英国伦敦大学帝国理工学院（Imperial College London）电子工程系光半导体器件研究室访问工作，同MinoGreen教授合作，从事多孔二氧化硅及WO3光半导体器件方面的研究工作。

1997.9~2000.11华中理工大学激光技术国家重点实验室博士研究生，主要从事脉冲准分子激光技术沉积三氧化钨、五氧化二钒宽带隙薄膜及电致变色器件方面的研究工作，获电子科学技术学科（物理电子学专业）工学博士学位和湖北省优秀博士学位论文奖。

2001~2003年在清华大学电子工程系集成光电子学国家重点实验室做博士后。主要从事宽带隙ZnO、MgO薄膜及场致电子发射器件方面的研究工作。期间独立承担并完成中国博士后基金项目一项。作为主要成员参加了国家自然科学基金、教育部博士点基金项目，国家经贸委资助（场助热电子发射平板显示器件）研究项目、清华大学985项目(场助电子发射显示阴极)的研究工作。

2003年7月博士后出站来武汉大学物理科学与技术学院工作。

2003.12~2004.12再次作为访问学者在英国伦敦大学帝国理工学院电子工程系从事纳米岛光刻技术、硅纳米结构、纳微米加工技术、场致电子发射等方面的研究工作。

二、科研成果及荣誉

1997年起享受湖北省政府专项津贴。1999年被批准为湖北省高校跨世纪学科带头人。2002年入选湖北省新世纪高层次人才工程。在AFM、JMC、EDL、APL等国际重要刊物发表SCI论文一百余篇。现为国际信息显示器协会(SID)会员、《真空科学与技术学报》编委。为Nature Communication、AM、EDL、TED、APL, Nanotechnology, J Phys Chem, JMC, ACS-AMI, J Sol Energy Mater& Sol Cell, J Power Source，《物理学报》等重要学术杂志的特邀审稿人。指导的博士生获湖北省优秀博士学位论文和教育部第一、二、三届博士生学术新人奖。

三、目前主要研究方向

1． 光伏器件（有机无机复合薄膜太阳能电池与染料敏化太阳能电池）；

2． 氧化锌(ZnO)基场致电子发射发光、电致发光器件及光电探测器；

3． 氧化物场效应晶体管与柔性显示器件；

4． 基于纳米结构的超级电容器。

四、教学及研究生培养情况

承担本科生课程：半导体器件(I); 微电子工艺原理与实践；硅平面工艺与光电薄膜综合实验（异质结器件制备与表征）.

研究生课程：半导体器件(II);

现指导博士后2人、博士生9人、硕博连读生5人。拟每年招收博士后研究人员1~2人，优先招收博士生和硕博连读生。