何军教授课题组有关二维电子材料及光电芯片的最新研究成

hezuo

3月23日，Nature Materials（《自然•材料》）期刊在线发表了物理科学与技术学院何军教授课题组有关二维电子材料及光电芯片的最新研究成果。文章题目为“Growth of single-crystal black phosphorus and its alloy films through sustained feedstock release”，文章的通讯作者还包括中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所张凯研究员和湖南大学潘安练教授。
       黑磷以其高载流子迁移率、宽广可调的直接带隙、可作为少数原子层进行范德华形式的集成堆叠等独特性质，成为了继硅等半导体材料之后，面向下一代电子、光电子应用的重要备选材料之一。与硅基芯片依赖于高质量单晶硅的制备类似，大面积高质量黑磷二维原子晶体薄膜的制备是其走向规模化集成应用的基础。由于黑磷晶相苛刻的形成条件，薄膜生长过程中成核与成核密度难以控制，导致现有方法制备的黑磷薄膜普遍为多晶结构，其晶体质量难以满足高性能器件的应用需求。尽管已有一些阶段性的进展被报道，高质量黑磷薄膜尤其是单晶薄膜的生长仍然是亟待攻克的难题。

       在这项工作中，何军团队与合作者设计开发了一种新的缓释控源的生长策略，利用“分子筛”多孔供源通道控制磷源缓释供给，维持稳定的低压生长环境，避免传统的磷源对流供给模式而获得可控的扩散供给模式，有效降低成核密度及晶体缺陷。同时理论计算表明，缓释供源策略营造的准平衡低压生长条件，显著提高了成核势垒而有效降低了成核速率，使薄膜生长保持层-层生长模式，最终得到均匀的高质量单晶薄膜。团队利用这种技术率先突破了大面积黑磷单晶薄膜材料的生长，黑磷薄膜单晶晶畴尺寸达到亚厘米级，薄膜的厚度可以通过磷源供应量在几纳米到几百纳米范围调节，在充足磷源供应和生长时间下薄膜可以生长至覆盖整个衬底。所生长的黑磷单晶薄膜的XRD（004）衍射峰的半峰宽仅为0.08°，显示出优异的单晶性，低温下载流子迁移率高达6500 cm2 V−1 s−1 ，开关比106，并首次在直接生长的黑磷薄膜中观测到了Shubnikov–de Haas量子振荡。该生长技术还可以推广到黑磷合金的单晶薄膜生长，并实现合金组分连续调控的能带工程，使黑磷薄膜的室温红外发光拓宽到可覆盖3.7-6.9μm的光谱范围。
       此项工作突破性解决了黑磷及其合金的单晶薄膜制备问题，有望推动黑磷材料体系在后摩尔时代的高密度异质集成电子及光电芯片等方面的广泛应用。该工作受到国家重点研发计划等项目经费的支持。
         全文链接：https://www.nature.com/articles/s41563-023-01516-1
          文章来源：武汉大学
       何军，武汉大学物理科学与技术学院教授（二级），国家杰出青年基金获得者、科技部重大研发计划首席科学家、中组部 “万人计划”中青年科技创新领军人才、科技部中青年科技创新领军人才。研究方向及成果：1)新型低维半导体物理性质研究； 2)基于新型低维半导体材料新原理、新结构的电子器件设计与制造；3)基于新型二维半导体材料及其异质结的下一代电子、光电子器件及其硅基集成研究。何军教授长期从事低维半导体材料及其器件应用研究。已发表SCI研究论文200多篇，其中包括Nature Electronics、Nature Communications、Science Advances、Chemical Society Review、Nano Letters、Advance Materials、ACS Nano等影响因子大于10的通讯作者论文50余篇，论文引用超过6000次。现任Science Bulletin副主编，Elsevier旗下Materials Today Chemistry副主编，Elsevier旗下FlatChem编委，《自然》集团旗下杂志npj 2D materials and applications编委，英国物理学会IOP旗下Nanotechnology和Nano Futures编委。