中国科学院院士王曦

王曦，材料科学家。中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员。1966年8月生于上海，籍贯江苏南通。1987年毕业于清华大学工程物理系，1990年、1993年先后获中国科学院上海冶金研究所（现上海微系统与信息技术研究所）硕士、博士学位。现任中国科学院上海微系统与信息技术研究所所长。2009年当选中国科学院院士。

长期致力于载能离子束与固体相互作用物理现象研究，并将研究成果应用于电子材料SOI（Silicon-on-insulator）的开发。在对离子注入SOI合成过程中的物理和化学过程研究基础上，自主开发了一系列将SOI材料技术产业化的关键技术，建立了我国SOI材料研发和生产基地。在载能离子束与固体相互作用以及离子束辅助薄膜沉积技术研究方面，揭示了载能离子作用下薄膜表面微结构、相组分、电子学、光学、生物学特性，实现了载能离子束薄膜生长的可控制性。曾获国家科技进步一等奖及何梁何利基金科学与技术进步奖等多项奖励。

自参加工作以来，王曦一直致力于载能粒子束与固体相互作用物理现象的研究，在先进电子材料和功能薄层材料的研究与开发以及表面工程等方面都颇有兴趣。1996年5月－1998年6月作为“洪堡”学者赴德国罗森多夫研究中心访问研究。

回国后王曦任中国科学院离子束开发研究实验室主任，他主持完成了包括国家“863”计划“超大规模集成电路配套材料”重大专项项目在内的多个项目。2006年他主持的“高端硅基SOI材料研究和产业化”项目获得国家科技进步一等奖，项目研究团队获得2007年中国科学院科技成就奖。2007年1月起他任国家中长期科学与技术发展规划“极大规模集成电路制造技术及成套工艺”科技重大专项总体专家组副组长，上海新傲科技股份有限公司董事长。2008年获度“何梁何利基金科学与技术进步奖”。2009年3月起任上海微系统所（原中科院上海冶金所）党委书记、常务副所长，法定代表人。2010年7月起任上海微系统所所长。2012年他当选为中共十八大代表。

让SOI材料走出实验室

早在1996年，王曦就已作为“洪堡学者”在德国罗森多夫研究中心接触到了世界上最先进的离子注入技术。

1998年，王曦回国竞聘成为离子束国家重点实验室主任，同时担任“高端硅基SOI材料”制备研究项目的负责人。

“离子注入是制备SOI材料的工具和手段，我对离子注入有很深刻的了解，这样就非常容易把它应用在SOI材料上。”王曦解释说。

SOI，即绝缘体上的硅，是国际公认的21世纪微电子新技术之一和新一代硅基材料，在低压低功耗电路、耐高温电路、微机械传感器、光电集成等方面有着重要应用。

高端硅基SOI制备中的关键技术，正是王曦钻研多年的“离子注入”。

“为什么不利用自己的优势开发产品，把这个在研究所里埋藏20多年的技术推向市场？”于是，“让SOI材料走出实验室”成了王曦奋斗的目标。

2001年7月，中科院上海微系统所联合北京盈富泰克投资发展有限公司、上海中科高科技工业园发展有限公司等，成立上海新傲科技股份有限公司，致力于将SOI材料产业化。

除了将中科院上海微系统所积累近20年的具有自主知识产权的SOI专有技术全部投入外，在王曦的带领下，研究所SOI课题组主要技术骨干全部进入该公司。

从实验室思维到产业思维

2002年4月底，王曦和他的团队仅用5个多月的时间，就在新傲公司建成国内第一条具有国际先进水平的SOI生产线。7月2日，第一批光润无瑕、晶莹剔透的SOI圆片材料问世。

美国硅谷《半导体商业新闻》惊呼：中国“突然”出现了一个现代化的SOI圆片工厂。

自成立以来，公司先后承担了“863”计划、“973”计划等各项重大研发和产业化项目。同时，王曦运用他专长的离子注入技术，带领团队在关键技术上取得一系列重大创新，其中申请国家发明专利32项、已获授权16项，并获2006年度国家科技进步奖一等奖。

如今，新傲公司作为国内唯一、国际屈指可数的SOI生产基地，总资产已经由10年前的1300万元发展到近10亿元。

不过，对王曦而言，SOI产业化的成功已成为“过去时”。

现在，王曦的眼光已投向更大的市场——将新傲打造成中国最好的外延服务商，同时在SOI领域谋求差异化生产。

当老牌的法国SOITec公司只针对英特尔等芯片制造公司提供SOI时，王曦已把目光投向汽车电子、传感器等SOI硅片的新应用领域。

“做产业的人必须懂得差异化竞争，这又和做实验不一样。”王曦说，从实验室思维到产业思维的转化，比SOI本身更值得珍视。