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中国科学院院士王广厚

2018-1-15 09:18| 发布者: fiber| 查看: 228| 评论: 0

摘要: 王广厚,原子分子与团簇物理学家。1939年11月生于安徽省肥西县。1963年毕业于北京师范大学物理系。2011年当选为中国科学院院士。南京大学教授。 1939年(己卯年)出生于安徽肥西县。 1963年毕业于北京师范大学物理系 ...

王广厚,原子分子与团簇物理学家。1939年11月生于安徽省肥西县。1963年毕业于北京师范大学物理系。2011年当选为中国科学院院士。南京大学教授。

1939年(己卯年)出生于安徽肥西县。

1963年毕业于北京师范大学物理系,

1963年9月至1967年12月,在南京大学外语系修习英文,

1968年留南京大学物理系任教,

1980年6月至1982年8月美国纽约州立大学物理系访问学者,

1990年10月至1991年10月德国萨尔兰大学新材料研究所客座教授,

1997年7月起任“小颗粒与无机团簇国际会议”国际顾问委员会委员和MSF(瑞士)国际顾问编委等,

2010年获得自然科学二等奖,

2011年12月9日,当选为中国科学院数学物理学部院士,专业:原子分子与团簇物理。

长期从事物理学交叉学科领域的研究和教学工作,在国内率先开展原子团簇物理的实验和理论研究并取得了一系列成果。在国际上首先提出区分异同位素团簇和相同同位素团簇,证明团簇的形成与构成簇的同位素性质有关。观察到硅团簇表面振动模及其量子特性,氟化锂团簇一阶拉曼散射和声子增强效应。发现包裹团簇的纳米喷射, 金团簇在硅晶表面形成密堆层状排布和局域有序纳米结构,具有多道共振隧穿特性。建立了过渡金属团簇经历金属—非金属、磁性—非磁性转变的尺寸方程, 被国际学术界广泛采用。揭示了金属原子线的生长序列及其由原子链状经螺旋多壳结构向晶态的演变规律。这些结果无论对低维体系的基础研究还是未来分子电子器件的应用开发均有重要意义。带领研究组自行设计、研制成功三代团簇实验装置并获得多项专利。曾获国家自然科学奖二等奖、国家教育部科技进步奖一等奖等。

2010年获得自然科学二等奖。获得2003年教育部提名国家科学技术奖(自然科学奖)一等奖,2002―2003年度中国物理学会胡刚复物理奖,1995年光华科技基金奖等部、省奖11项,获国家授权的发明专利2项,发表学术论文320多,其中在Phys.Rev. Lett.,Phys Rev, Appl. Phys. Lett., Adv. Mater等国际学术刊物(SCI)发表论文180篇,被SCI他引达400多篇,出版学术专著《团簇物理学》(2003年11月,上海科学技术出版社)作为优秀科技著作受到“上海科技专著出版基金”资助。还著有两卷本《粒子与固体相互作用物理学》专著(上册,1988,下册1991,科学出版社),被国际会议邀请作特邀报告10多次,主持了首届“团簇科学和原子工程国际研讨会”(1995)、“团簇科学和纳米技术国际研讨会”(2002)、“中德团簇和纳米粒子研讨会”(2003),以及作为大会主席将主持“第12届小颗粒与无机团簇国际会议”(ISSPIC―12)(2004),主持完成国家自然科学基金重大项目“原子团簇的化学与物理”(1988―2002),培养研究生共45名,其中博士生32人,获得2003年全国优秀博士学位论文1人。 2011年12月当选中科院院士。



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