| 美国南佛罗里达大学开发了一种用于减轻纳米级电子互连电迁移的新方法，可应用于超大规模集成电路中，从而进一步扩大器件密度。电迁移是指金属离子在电场作用下发生迁移的过程，这一过程中材料会发生原子层面的腐蚀现象，最终导致器件故障。传统的半导体技术通过使用阻挡层或衬垫材料来解决这一问题，但传统材料占用的空间较多，降低了单位晶圆空间所能封装的晶体管数量。研究人员使用埃米级厚度的六方氮化硼 (hBN)作为屏障材料，这种二维材料大大降低了占用空间，击穿电流密度和工作寿命得到显著改善。研究表明，通过后道工艺(BEOL) 兼容方法用单层hBN钝化的铜互连可使设备寿命延长2500%以上，电流密度提高20%以上，这项研究成果为半导体和集成电路制造1nm节点奠定了基础。 声明：本网部分文章和图片来源于网络，发布的文章仅用于材料专业知识和市场资讯的交流与分享，不用于任何商业目的。任何个人或组织若对文章版权或其内容的真实性、准确性存有疑义，请第一时间联系我们，我们将及时进行处理。 |
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