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非晶相变记忆Ge-Sb-Te合金中的强电子极化原子链

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发布时间: 2017-10-17 09:32

正文摘要:

       相变存储器(PCM)是利用特殊材料在晶态和非晶态之间相互转化时所表现出来的导电性差异来存储数据的存储装置,其具备高速、高密度的特点。迄今为止,三元Ge-Sb-Te合金是应用中最受欢迎的 ...

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