张志勇-彭练矛Science：用于高性能电子学的高密度半导体阵列碳纳米管研究中取得进展

正文摘要:

集成电路的发展要求互补金属氧化物半导体（CMOS）晶体管在持续缩减尺寸的同时提升性能，降低功耗。随着主流CMOS集成电路缩减到亚10 nm技术节点，采用新结构或新材料对抗场效应晶体管中的短沟道效应、进一步提升器件 ...