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杨金龙等在二维铁电Rashba半导体材料中取得新进展

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ouyyu

发布时间: 2022-10-24 17:28

正文摘要:

近日，中国科大杨金龙教授课题组胡伟团队在二维铁电Rashba材料领域取得进展，研究成果以题为“High-Throughput Inverse Design for 2D Ferroelectric Rashba Semiconductors”发表在Journal of the American Chemica ...

GMT+8, 2024-6-17 20:59 , Processed in 0.082082 second(s), 40 queries .

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