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中国工程院院士屠海令

2017-12-22 11:50| 发布者: bluesky| 查看: 241| 评论: 0

摘要: 屠海令(1946.10.05- )半导体材料专家。北京市人。1969年毕业于天津大学。1983年获英国巴斯大学固体物理学博士学位。现任北京有色金属研究总院名誉院长,博士生导师,中国材料研究学会副理事长、中国有色金属学会副 ...

屠海令(1946.10.05- )半导体材料专家。北京市人。1969年毕业于天津大学。1983年获英国巴斯大学固体物理学博士学位。现任北京有色金属研究总院名誉院长,博士生导师,中国材料研究学会副理事长、中国有色金属学会副理事长、中国稀土学会副理事长。

1964年09月至1969年08月,天津大学精仪系自动化专业学习;

1970年08月至1971年08月,天津第三半导体器件厂试制组技术员;

1971年08月至1978年09月,天津半导体技术研究所组长、室主任;

1978年09月至1979年12月,北京有色金属研究总院半导体材料专业攻读研究生;

1979年12月至1983年12月,英国巴斯大学半导体材料物理专业攻读博士学位;

1984年03月至1996年07月,北京有色金属研究总院组长、室主任、副院长(其间:1994年11月至1995年8月美国北卡罗莱纳州立大学半导体材料专业高级访问学者);

1996年07月至2009年04月,北京有色金属研究总院院长;

1999年02月至2009年05月,有研半导体材料股份有限公司董事长;

2006年04月起担任北京有色金属研究总院科技委员会主任;

2007年12月当选中国工程院院士;

2009年05月至今担任北京有色金属研究总院名誉院长;

2010年06月至今担任中国工程院化工、冶金与材料工程学部副主任。

2014年4月中国煤炭科工集团有限公司外部董事,聘期二年(2014年1月至2015年12月)。

长期从事硅、化合物半导体、稀土半导体晶体生长,硅基半导体材料制备;半导体材料中杂质与缺陷行为,界面、表面物理化学;半导体材料与器件性能关系;纳米半导体材料、高k材料和红外光学材料等方面研究。领导并参加多项半导体材料国家工程及专项项目,形成了一系列具有自主知识产权的工程技术和规模化的生产能力。参加国家中长期科技发展规划的战略研究。获国家级、省部级科技进步奖15项,授权专利37项。发表论文260多篇,出版著作9部。2002年获国际半导体材料与设备协会国际标准成就奖,2004年荣获何梁何利基金科学与技术进步奖。

2007年当选为中国工程院院士。



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