中国科学院院士薛其坤

薛其坤，材料物理专家。中国科学院物理研究所研究员、清华大学教授，副校长。1963年12月19日生于山东蒙阴。1984年毕业于山东大学光学系，1990年、1994年先后获中国科学院物理研究所硕士、博士学位。2005年当选为中国科学院院士。

教育背景

1977年9月-1980年7月 山东蒙阴一中；

1980年9月-1984年7月 山东大学光学系激光专业（理学学士学位）；

1984年9月-1987年7月 曲阜师范大学大学物理系工作；

1987年9月-1990年7月 中国科学院大学物理研究所凝聚态物理专业（理学硕士学位）；

1990年9月-1992年6月 中国科学院大学物理研究所凝聚态物理专业；

1992年6月-1994年6月 日本东北大学金属材料研究所博士生（中日联合培养）；

1994年8月 中国科学院大学物理研究所获理学博士学位。

工作经历

1994年9月-2001年3月 日本东北大学金属材料研究所工作（日本文部省教官、助手）；

1996年6月-1997年5月 North Carolina State University物理系(访问助理教授)；

1998年8月- 中国科学院物理所研究员、博士生导师；

1999年3月- 中国科学院物理所/凝聚态物理中心SF4研究组组长；

1999年9月- 中国科学院表面物理国家重点实验室主任；

2000年2月-2000年3月 瑞士IBM苏黎世实验室访问科学家（Senior Visiting Research Scientist）；

2001年12月-2002年1月香港大学物理系访问教授（Visiting Professor）；

2004年6月- 国家纳米科学中心首席科学家；

2005年11月 当选中国科学院院士；

2006年4月-2010年6月 清华大学物理系教授、博士生导师，系副主任；

2010年7月-2013年3月 清华大学理学院院长、物理系主任；

2013年1月- 受聘哈尔滨工业大学首席学术顾问

2013年3月-2013年5月 清华大学校长助理、科研院院长、理学院院长、物理系主任；

2013年5月 清华大学党委委员、常委、副校长。

2013年7月，任中共清华大学委员会委员、常委

主要研究方向为扫描隧道显微学、表面物理、自旋电子学、拓扑绝缘量子态和低维超导电性等。

研究工作主要涉及利用扫描隧道显微镜、高/低能电子衍射、光学探针以及各种表面分析手段研究各种金属、半导体表面晶体结构/化学性质、异/同质结薄膜外延和低维纳米结构的生长动力学和控制。在微电子工业上具有广泛用途的化合物半导体GaAs和GaN生长表面的两维晶体结构、光学性质以及相关异质结外延中应力释放问题、InAs/GaAs量子点的形成机理和稳定性、纳米团簇的生长、C60/C84/C70在半导体上的薄膜生长等研究中做过比较系统的工作。主要研究兴趣包括稀磁半导体的分子束外延生长和自旋注入、低维纳米结构的磁性和在自旋电子学中的应用、量子效应对低维纳米结构电子性质的影响（比如催化）等。

长期从事超薄膜材料的制备、表征及其物理性能研究。开展了第二代半导体薄膜GaAs、InAs/GaAs量子阱（点）、宽禁带半导体GaN和ZnO 薄膜生长动力学研究, 发展完善了III-V族化合物半导体表面再构的基本规律；开展了半导体Si衬底上金属超薄膜量子尺寸效应的研究，定量建立了金属薄膜体系量子效应和材料性能间内在联系，发现了薄膜热膨胀系数、功函数、超导转变温度等的量子振荡现象；开展了有序纳米结构的自组织生长研究，发明了若干原子尺度精确控制生长技术，解决了异质外延生长纳米有序结构的难题。研制了几套低温生长及原子尺度原位检测装置。