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[专家学者] 北京师范大学材料科学与工程系英敏菊副研究员

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发表于 2017-3-20 09:40:49 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
英敏菊  副研究员,硕士生导师

通信地址:北京市新街口外大街19号  北京师范大学核科学与技术学院
邮  编:100875
电  话: 62208249
E-mail:mjying@bnu.edu.cn


个人简介
女,1975年生于山东。1994.9-1998.7 在山东大学光电子信息工程系学习并获学士学位;1998.9-2003.6在山东大学信息学院硕博连读并获博士学位;2003.7—2005.6在中国科学院物理研究所表面物理国家重点实验室做博士后研究工作;2005.7 年至今在北京师范大学核科学与技术学院工作,历任讲师,副研究员。近年来发表学术论文近四十篇,获得多项发明专利,主持和参加国家自然科学基金项目多项,并任 Appl. Phys. Lett. 及 J. Appl. Phys.等杂志审稿人。


科研项目
主要科研项目:
  1.Si基ZnO薄膜的表面/界面工程与第一性原理计算   国家自然科学基金项目  负责人
  2.离子注入ZnOp-型掺杂研究   北京市科技院萌芽项目  负责人
  3.离子束分析在北京市大气细粒子成分分析和来源解析中的应用   北京市科委项目  第三承担人
  4.ZnO基稀磁半导体单晶薄膜以及稀磁/非磁/稀磁三明治结构的制备与物性研究   国家自然科学基金项目  第二承担人
  5.DNA物理性质的分子动力学模拟和第一原理计算   国家自然科学基金项目  第三承担人


学术成果
  文章:
  1. Ying Min-ju, Zhang ping, Du xiao-long “First-principle study of Mg adsorption on Si(111) surfaces” Chin. Phys. B 18, 275(2009)
  2. 英敏菊 董西亮 “用拉曼光谱测量离子注入引起的晶格应变”强激光与粒子束20(4)671(2008)
  3. 英敏菊 董西亮“0.28 MeV Zn 离子注入Ga InP/ Ga InAsP量子阱薄膜材料的损伤行为研究” 北京师范大学学报(自然科学版)44(4)384(2008)
  4. Y. Z. Liu, M.J. Ying et al. “300 rotation domains in wurtzite ZnO films” J. Crystal Growth 290, 631 (2006)
  5. 刘玉资,英敏菊 等 “纤维锌矿薄膜中30度旋转畴的TEM研究” 电子显微学报 24, 350 (2005)
  6. M. J. Ying, X. L. Du, et al. “Interface engineering for lattice-matched epitaxy of ZnO on (La,Sr)(Al,Ta)O3(111) substrates” Appl. Phys. Lett. 87,202107 (2005)
  7. 英敏菊 杜小龙 等 “LSAT(111)衬底上ZnO单晶薄膜的分子束外延生长” 半导体学报 26, 82 (2005)
  8. Y. Z. Liu, M.J. Ying et al “Microstructure and polarity of epitaxial ZnO films grown on LSAT(111) substrate studied by transmission electron microscopy” Phys. Lett. A 339, 497(2005)
  9. M. J. Ying, X. L. Du, et al. “Effect of sapphire substrate nitridation on the elimination of rotation domains in ZnO epitaxial films” J. Phys. D: Appl. Phys. 37, 3058(2004)
  10. M. J. Ying, Y. Y. Xia, et al., “Ambient gas effects on high-power Nd-YAG laser ablation of SnO2: Sb transparent conducting film” Opt. Lasers Eng.41, 537(2004).
  11. M. J. Ying, Y. Y. Xia, et al., “Quasi-One-Dimensional Liquid Hydrogen Confined in Single-Walled Carbon Nanotubes” Appl. Phys. A 78, 771(2004).
  12. M. J. Ying, P. J. Liu et al., “Investigation of intermixing induced by sputtering and annealing in multiple quantum well” Appl. Surf. Sci. 205, 181(2003).
  13. YING Min-Ju, XIA Yue-Yuan, et al., “Study of Quasi-One-Dimensional Solid Lattice and Liquid Hydrogen in Single-Walled Carbon Nanotubes” Chinese. Phys. Lett. 20, 551(2003).
  14. M. J. Ying, Y. Y. Xia, et al., “Influence of annealing condition on photoluminescence characteristics of AlGaAs/GaAs multiple quantum well” Mater. Lett. 57, 2932(2003).
  15. M. J. Ying, Y. Y. Xia, et al., “Emission properties of laser ablation of SnO2: Sb transparent conducting film and KTiOPO4 crystal” Opt. & Laser Tech. 35, 475(2003).
  16. M. J. Ying, Y. Y. Xia, et al., “Study of the plasma produced from laser ablation of a KTP crystal” Appl. Surf. Sci.207, 227(2003).
  17. M. J. Ying, Y. Y. Xia, et al., “Plasma properties of laser-ablated aluminum target in air” Laser and Part. Beams 21, 97(2003).
  专利:
  1.杜小龙,薛其坤,英敏菊,梅增霞,曾兆权,郑浩:在(La,Sr)(Al,Ta)O3上制备高质量ZnO单晶薄膜的方法,专利号:200410071047.3
  2.杜小龙,薛其坤,贾金锋,梅增霞,英敏菊,曾兆权,郑浩,袁洪涛:一种制备高质量氧化锌单晶薄膜的三缓冲层方法,专利号:200410086325.2
  3.杜小龙,薛其坤,贾金锋,曾兆权,袁洪涛,英敏菊,郑浩:一种在铝酸镁衬底上制备ZnO单晶薄膜的方法,专利号:200510064653.7
  4.杜小龙,薛其坤,贾金锋,曾兆权,袁洪涛,英敏菊,梅增霞,郑浩:含三种掺杂剂的p型氧化锌薄膜及其制造方法,专利号:200510063056.2
  5.杜小龙,薛其坤,贾金锋,曾兆权,袁洪涛,张泽,刘玉资,英敏菊,郑浩:一种在铝酸镁衬底上制备高质量锌极性ZnO单晶薄膜的方法,专利号:200510069276.6


参加会议
参加国际国内会议:
  1.In-plane and polar orientations of ZnO thin films grown on (La,Sr)(Al,Ta)O3 (111) surfaces
  M. J. Ying, X. L. Du, Z. X. Mei, Z.Q. Zeng, H. Zheng, H. T. Yuan, Z. T. Zhou J. F.  Jia, J. M. Zhou, and Q. K. Xue
  The 3rd International Workshop on ZnO and Related Materials (Sendai, Japan, 2004)
  2.LSAT(111)衬底上ZnO单晶薄膜的分子束外延生长
  英敏菊 杜小龙 梅增霞 曾兆权 周忠堂 郑浩 袁洪涛 周均铭 贾金锋 薛其坤
  2004年第十三届全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议  (大连,2004)被评为大会优秀论文
  3.Mg修正层对(La,Sr)(Al,Ta)O3(111)衬底生长的ZnO外延取向的影响
  英敏菊 杜小龙 梅增霞 曾兆权 周忠堂 郑浩 袁洪涛 贾金锋 周均铭 薛其坤 刘玉资 张泽
  中国物理学会2004年秋季学术会议(太原,2004)
欢迎凝聚态物理类专业、材料类专业和核技术应用类专业等相关领域的学生报考本方向的硕士生!


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沙发
发表于 2018-10-24 08:48:48 | 只看该作者
2018自然科学基金面上项目-缺陷调制室温铁磁性ZnO半导体材料的离子束制备与极性调控
批准号        11875088        学科分类        离子注入及离子束材料改性 ( A050406 )
负责人        英敏菊        职称                单位名称        北京师范大学
资助金额        66万元        项目类别        面上项目        起止年月        2019年01月01日 至 2022年12月31日


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