中国科学院山西煤炭化学研究所郭向云

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姓 名:郭向云       
性    别:男
职 务:
职    称:研究员
学 历:博士研究生       
通讯地址:太原市桃园南路27号
电 话:0351-4065282       
邮政编码:030001
传 真:
电子邮件:xyguo@sxicc.ac.cn       
简历：
1990年毕业于北京大学化学系，1996年在中国科学院山西煤炭化学研究所获博士学位，1998年作为洪堡学者赴汉堡工业大学进行合作研究，1999年法国奥尔良大学博士后，2000年入选中科院“百人计划”。
研究领域：
（1）高比表面积碳化硅的功能化和应用
（2）金属纳米颗粒/石墨烯体系的催化性能
获奖及荣誉：
（1）中国科学院院长奖学金特别奖（1996）
（2）中国化学会青年化学奖（2002）
（3）山西省自然科学二等奖（2006）
代表论著：
1. S. Xie, X.N. Guo, G.Q. Jin, X.L. Tong, Y.Y. Wang, X.Y. Guo, In situ grafted carbon on sawtooth-like SiC supported Ni for high-performance supercapacitor electrodes, Chem. Commun., 2014, 50, 228-230.
2. Y. W. Wang, X. L. Tong, X. N. Guo, Y. Y. Wang, G. Q. Jin, X. Y. Guo, Large scale production of high qualified graphene by ultrasonic exfoliation of expanded graphite, Nanotechnology, 2013, 24, 475602.
3. S. Xie, X. N. Guo, G. Q. Jin, X. Y. Guo, Carbon Coated Co/SiC Nanocomposite with High- Performance Microwave Absorption, Physical Chemistry Chemical Physics, 2013, 15(38): 16104-16110.
4. Y. W. Wang, X. N. Guo, L. L. Dong, G. Q. Jin, Y. Y. Wang, X. Y. Guo, Enhanced Photocatalytic Performance of Chemically Bonded SiC-graphene Composites for Visible-Light-Driven Overall Water Splitting, Inter. J. Hydro. Energy, 2013, 38: 12733.
5. J. Y. Hao, Y. Y. Wang, X. L. Tong, G. Q. Jin, X. Y. Guo, SiC nanomaterials with different morphologies for photocatalytic hydrogen production under visible light irradiation, Catal. Today, 2013, 212: 220-224.
6. X. N. Guo, X. L. Tong, Y. W. Wang, C. M. Chen, G. Q. Jin, X. Y. Guo, High Photoelectrocatalytic Performance of MoS2/SiC Hybrid Structure for Hydrogen Evolution Reaction, J. Mater. Chem. A, 2013, 1(15): 4657.
承担科研项目情况：
（1）国家973项目：煤转化过程中CO2的循环利用

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　“3吨/年高比表面积碳化硅的连续化生产技术”项目通过验收

       3月24日，山西省科技厅组织专家对中国科学院山西煤炭化学研究所承担的山西省科技重大专项“3吨/年高比表面积碳化硅的连续化生产技术”项目进行了验收。项目负责人、山西煤化所研究员郭向云等参加了会议。

　　会上，郭向云从项目指标完成情况、资金使用情况及实施成效等方面进行了详细汇报。验收专家组肯定了项目取得的进展与成果，同意该项目通过验收，并建议进一步加快产品的市场推广与应用。

　　高比表面积碳化硅是一种先进的结构和功能材料，可用作耐高温吸波材料、高温催化与光电催化材料及复合材料增强剂，在国防等高科技领域具有重要的应用价值。该项目采用自主研发的溶胶凝胶结合碳热还原方法制备高比表面碳化硅，实现了高比表面积碳化硅的连续化生产，产品指标处于国际领先水平，填补了我国高比表面碳化硅连续化生产的空白，对我国碳化硅制备与应用领域的发展具有重要意义。