非晶相变记忆Ge-Sb-Te合金中的强电子极化原子链

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       相变存储器（PCM）是利用特殊材料在晶态和非晶态之间相互转化时所表现出来的导电性差异来存储数据的存储装置，其具备高速、高密度的特点。迄今为止，三元Ge-Sb-Te合金是应用中最受欢迎的PCM材料之一。a-GST（非晶Ge2Sb2Te5）中共价键的存在，应该是其结晶相的反射率差异的根本。

       近日，吉林大学的李贤斌副教授在Acta Mater.上发表了题为“Strong electron-polarized atom chain in amorphous phase-change memory Ge-Sb-Te alloy”的文章。文中描述，通过第一原理计算与电子结构分析，发现在非晶Ge2Sb2Te5中，p轨道对齐的原子链在控制光电反射率方面能发挥重要作用。这些原子链可使非晶Ge2Sb2Te5的电子态保持强电子极化，从而控制光学性能。