安徽大学物理与材料科学学院何刚

luzao

何刚，安徽大学物理与材料科学学院教授。2001年获安徽大学理学学士学位，2006年获中科院合肥物质科学院固体物理所凝聚态物理博士学位。2007～2011曾先后在日本东京大学、日本国家材料研究所从事科学研究工作。现为安徽大学物理与材料科学学院特聘教授、博士生导师、安徽省学术学科带头人、合肥市第八批专业技术答辩人才、在超薄栅材料设计、场效应器件界面调控、柔性全透明薄膜晶体管性能优化等方面,取得了一系列的成果,得到了国际同行的认可和高度关注。在国际有影响的刊物：Pro. Mater. Sci; Surf. Sci. Rep; Appl. Phys. Lett; ACS Appl. Mater. Interfaces; Adv. Electro. Mater; IEEE TED（发表论文200余篇，被正面引用近2300余次。先后主持国家自然科学基金面上、青年项目，教育部重点科学技术项目，留学回国人员择优资助项目，以及安徽省自然科学基金面上项目多项；先后参与多项包括国家973 重大研究计划项目、国家自然科学基金面上项目、日本学术振兴会博士后特别基金项目等在内的重要课题。


姓名：何刚
学位：理学博士
职称：教授
职务：无
研究方向：场效应器件及柔性透明显示薄膜器件集成
E-mail：hegang@ahu.edu.cn
课题组主页： http://www.ahu-hegang-group.com

承担项目：
(1) 高k栅介质/金属栅锑化镓MOS器件中的关键物理问题研究：国家自然科学基金面上项目(11774001)； 2018-2021； 总经费：76.8万 (主持，在研)
(2) 高k栅介质/钝化层/InGaAs叠层结构设计、界面失稳调控及性能优化：国家自然科学面上项目（51572002)；2016-2019；总经费：76.8万 (主持，在研)
(3) HfTiON/AlON/Ge叠层栅结构设计、界面调控及器件性能研究：安徽省自然科学基金面上项目（1608085MA06)；2016-2018；总经费：8万 (主持，在研)
(4) 叠层结构对新型MOS场效应晶体管的界面调控和性能优化研究：国家自然科学基金面上合作项目（11474284) ；2015-2018；总经费：90万 (合作主持36万，在研)


代表性论文、著作和专利等：
1. L. Zhu, G. He, W. D. Li, B. Yang, E. Fortunato, R. Martins, Nontoxic, Eco-friendly Fully Water-Induced Ternary Zr-Gd-O Dielectric for High-Performance Transistors and Unipolar Inverter Adv. Electro. Mater. 4 (2018) 1800100.
2. S. S. Jiang, G. He, M. Liu, L. Zhu, S. Liang, W. D. Li, Z. Q. Sun, M. L. Tiang,  Interface modulation and optimization of electrical properties of HfGdO/GaAs gate stacks by ALD-derived Al2O3 passivation layer and forming gas annealing Adv. Electron. Mater. 4 (2018) 1700543.
3. G. He, J. Gao, H. S. Chen, J. B. Cui, X. S. Chen, and Z. Q. Sun, Modulating the interface quality and electrical properties of HfTiO/InGaAs gate stack by atomic-layer-deposied Al2O3 passivation layerACS Appl. Mater. Interfaces. 6 (2014) 22013.
4. G. He, J. W. Liu, H. S. Chen, Y. M. Liu, Z. Q. Sun, X. S. Chen, M. Liu, and L. D. Zhang  Interface control and modification of band alignment and electrical properties of HfTiO/GaAs gate stacks by nitrogen incorporationJ. Mater. Chem. C. 2(27) (2014) 5299.
5. G. He, X. S. Chen, and Z. Q. Sun, “Interface engineering and chemistry of Hf-based high-k dielectrics on III-V substrates” Sur. Sci. Rep. 68 (2013) 68.
6. G. He, L. Q. Zhu, Z. Q. Sun, Q. Wang, and L. D. Zhang, “Integrations and challenges of novel high-k gate stacks in advanced CMOS technology” Prog. Mater Sci. 56 (2011) 475.


获奖情况：
1.安徽省自然科学二等奖（2014，第一完成人）
2. 安徽省自然科学二等奖（2016，第三完成人）