找回密码
 立即注册

QQ登录

只需一步,快速开始

查看: 780|回复: 1
打印 上一主题 下一主题

[专家学者] 山东大学晶体材料研究所张雷

[复制链接]

67

主题

67

帖子

71

积分

注册会员

Rank: 2

积分
71
跳转到指定楼层
楼主
发表于 2017-5-12 08:55:14 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
张雷,1982年7月出生于山东聊城冠县,博士,副研究员,郝霄鹏教授课题组。主要从事氮化镓晶体的生长和性能研究工作。近年来,主持了国家自然科学基金、中国博士后科学基金、山东省博士后创新基金等多项科研项目,参与了国家重点基础研究发展计划“973”项目和国家“863”项目的研究工作。在Adv. Mater. , ACSAppl. Mater. Interface, Sci Rep., CrystEngComm等国际知名期刊上发表SCI论文20余篇,授权专利9项。

邮箱:leizhang528@sdu.edu.cn

科研与学术工作经历
1.2016/04-至今,德国亥姆霍兹于利希研究中心访问学者
2.2016/03-至今,山东大学,晶体材料研究所,副研究员
3.2012/06-2016/03,山东大学,晶体材料研究所,博士后
教育经历
2008/9 - 2011/12,山东大学,晶体材料研究所,获博士学位
2005/9 - 2008/06,齐鲁工业大学,材料科学与工程学院,获硕士学位
2001/9 - 2005/06,齐鲁工业大学,材料科学与工程学院,获学士学位
代表性论文:
(1) Shouzhi Wang, LeiZhang (co-firstauthor), Changlong Sun, Yongliang Shao, Yongzhong Wu, JiaxinLv, Xiaopeng Hao*, Gallium Nitride Crystals: Novel Supercapacitor ElectrodeMaterials, Advanced Materials, 2016, 28, 3768–3776
(2) Lei Zhang,Xianlei Li, Yongliang Shao, Jiaoxian Yu, Yongzhong Wu, Xiaopeng Hao*, ZhengmaoYin, Yuanbin Dai, Yuan Tian, Qin Huo, Yinan Shen, Zhen Hua, Baoguo Zhang,Improving the quality of GaN crystals by using graphene or hexagonal boronnitride nanosheets substrate, ACS Applied Materials & Interfaces, 2015,7:4504−4510 (Highlighted by Nature Materals with the title “A 2Dbarrier to defects” (Nature Materals, 14, 362, 2015)
(3) Lei Zhang,Jiaoxian Yu, Xiaopeng Hao*, Yongzhong Wu, Yuanbin Dai, Yongliang Shao, HaodongZhang, Yuan Tian, Influence of stress in GaN crystals grown by HVPE onMOCVD-GaN/6H-SiC substrate, Scientific Reports, 2014, 4: 4179
(4) Lei Zhang,Yuanbin Dai, Yongzhong Wu, Yongliang Shao, Yuan Tian, Qin Huo, Xiaopeng Hao*,Epitaxial growth of self-separation GaN crystals by using a novel hightemperature annealing porous template, CrystEngComm, 2014, 16: 9063-9068
(5) Lei Zhang,Yongliang Shao, Xiaopeng Hao*, Yongzhong Wu, Shuang Qu, Xiufang Chen, XiangangXu, Improvement of crystal quality HVPE grown GaN on H3PO4etched template. CrystEngComm, 13 (2011) 5001-5004
(6) Lei Zhang,Yongliang Shao, Xiaopeng Hao*, Yongzhong Wu, Shuang Qu, Xiufang Chen, XiangangXu, Comparison of the strain of GaN films grown on MOCVD-GaN/Al2O3 andMOCVD-GaN/SiC samples by HVPE growth. Journal of Crystal Growth, 334 (2011)62-66
(7) Lei Zhang,Jianxing Shen*, Jiaoxian Yu, chuanshan Li, Jinmei Dong, Yuan Ma, Chunlei Yan,Normal sintering and electric properties of  (K,Na,Li)(Nb,Sb)O3 lead-freepiezoelectric ceramics. Journal of Electroceramics, 26 (2011) 105-111
(8) Lei Zhang,Yongliang Shao, Yongzhong Wu, Xiaopeng Hao*, Xiufang Chen, Shuang Qu, XiangangXu, Characterization of dislocation etch pits in HVPE-grown GaN using differentwet chemical etching methods, Journal of Alloys and Compounds 2010, 504:186-191


  声明:本网部分文章和图片来源于网络,发布的文章仅用于材料专业知识和市场资讯的交流与分享,不用于任何商业目的。任何个人或组织若对文章版权或其内容的真实性、准确性存有疑义,请第一时间联系我们,我们将及时进行处理。
分享到:  QQ好友和群QQ好友和群 QQ空间QQ空间 腾讯微博腾讯微博 腾讯朋友腾讯朋友
收藏收藏 转播转播 分享分享 分享淘帖
回复

使用道具 举报

5

主题

11

帖子

15

积分

新手上路

Rank: 1

积分
15
沙发
发表于 2019-2-10 09:51:30 | 只看该作者
2018自然科学基金面上项目-GaN晶体的应力、缺陷和能带结构之间关系的研究
批准号        51872164        学科分类        ( )
负责人        张雷        职称                单位名称        山东大学
资助金额        60万元        项目类别        面上项目        起止年月        2019年01月01日 至 2022年12月31日

回复 支持 反对

使用道具 举报

小黑屋|手机版|Archiver|版权声明|一起进步网 ( 京ICP备14007691号-1

GMT+8, 2024-5-8 07:07 , Processed in 0.221852 second(s), 35 queries .

Powered by Discuz! X3.2

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回复 返回顶部 返回列表