Mario Lanza教授课题组在Nature Electronics上发表论文

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随着忆阻器在非易失性存储器、模拟人类大脑的深度学习等重要领域的研究逐步深入，忆阻器的研究得到越来越多的重视。在固态电子器件和电路中应用二维材料，将有助于扩展摩尔定律，并能获得优于CMOS的先进产品。基于二维材料的忆阻器能够应用于信息存储和神经态计算，具有高热稳定性，阈值型和双极型阻变共存，增强、抑制和弛豫的高度可控性，以及出色的机械稳定性和透明度等优点。

       近日，我院Mario Lanza教授在Nature子刊《Nature Electronics》上发表了题为“Wafer-scale integration of two-dimensional materials in high-density memristive crossbar arrays for artificial neural networks”的封面文章。作者提出二维材料六方氮化硼（h-BN）可以作为高密度忆阻阵列的阻变材料，构建可用于图像识别的人工神经网络的器件。其获得h-BN基忆阻阵列器件成品率高达98%，且表现出超低的周期间差异性（低至1.53％）和出色的器件间差异性（低至5.74％）。图像分类器的仿真结果表明，所测得的器件I-V曲线的均一性足以匹配理想软件实现所需的精度。
Mario Lanza教授课题组的博士研究生陈少川，是该文的第一作者。
       作者信息：Shaochuan Chen, Mohammad Reza Mahmoodi, Yuanyuan Shi, Chandreswar Mahata, Bin Yuan, Xianhu Liang, Chao Wen, Fei Hui, Deji Akinwande, Dmitri B. Strukov and Mario Lanza*
       文章链接：https://www.nature.com/articles/s41928-020-00473-w
       Mario Lanza教授课题组链接：https://www.lanzalab.com/


        文章来源：苏州大学
        Mario Lanza 是苏州大学全职教授。Lanza教授2010年毕业于巴塞罗那自治大学，获得电子工程博士学位。博士期间，他在英国曼彻斯特大学和德国英飞凌科技大学做访问学者。2010-2011年获得北京大学的NSFC博士后资助，2012-2013年在斯坦福做玛丽居里博士后。Lanza教授发表了100多篇学术论文，包括在Science, Nature Electronics等顶级期刊；获批四项专利，其中一项获得560万资助。Lanza教授是很多杂志的咨询委员会成员，包括Advanced Electronic Materials, Scientific Reports, Nanotechnology, Nano Futures and Crystal Research and Technology, 也为Advanced Functional Materials组稿一期特刊。 他还是许多国际会议的技术委员会成员，包括IEEE-IEDM, IEEE-IRPS, IEEE-IPFA and APS。Lanza教授获得了多项国际奖励，如:Elsevier版发的为电子工程2017年青年科学家。2019年Electron Devices Society任命为杰出的Lecture.2013年以来，Lanza教授在苏州大学建立了包括15-20名博士生的课题组。他们主要研究如何改进使用二维材料的电子设备，特别强调用于非易失性数字信息存储和人工智能计算系统的二维(分层)介质和忆阻器。