山东大学晶体材料研究所郝霄鹏

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郝霄鹏，男，1972年8月出生，工学博士，山东大学教授,博士生导师。 获教育部2007年度“新世纪优秀人才”。主要从事宽带隙半导体晶体的生长以及低维材料的制备及应用研究，作为项目负责人先后承担了国家863项目、国家自然科学基金、教育部重点项目、山东省优秀中青年科学家科研奖励基金以及山东省自然科学基金等项目；另外，作为主要参加人员，参与了国家创新研究群体、国家973项目等研究工作。在包括Adv.mater.,Angew.Chem.Int.Ed.,Chem. Mater.学术期刊上发表论文120余篇，并申请国家发明专利29项，其中17项已得到授权。  
电  话：0531-88366218；E-mail：xphao@sdu.edu.cn

教育经历：  
1999/9 - 2002/6，山东大学，材料学，博士  
1996/9 - 1999/4，浙江大学，材料学，硕士，  
1992/9 - 1996/6，山东轻工业学院，硅酸盐工程，学士  
工作经历：  
2006/9 - 至今，山东大学，晶体材料研究所，教授  
2005/4 – 2005/6，新加坡国立大学, 物理系，访问学者  
2004/9 - 2006/8，山东大学，晶体材料研究所，副教授  
2002/7 - 2004/8，山东大学，晶体材料研究所，讲师  
代表性研究论文  
1. Li , Xiaopeng Hao , * Mingwen Zhao , * Yongzhong Wu , Jiaxiang Yang , Yupeng Tian ,and Guodong Qian, Exfoliation of Hexagonal Boron Nitride by Molten Hydroxides,Adv. Mater. 2013, 25, 2200–2204  
2. Miao Du, Xianlei Li, Aizhu Wang, Yongzhong Wu, Xiaopeng Hao,* and Mingwen Zhao, *One-Step Exfoliation and Fluorination of Boron Nitride Nanosheets and a Study of Their Magnetic Properties, Angew. Chem. Int. Ed., 53, 3645 –3649, 2014            
3. Lei Zhang, Xianlei Li, Yongliang Shao, Jiaoxian Yu, Yongzhong Wu, Xiaopeng Hao,*,Zhengmao Yin, Yuanbin Dai, Yuan Tian, Qin Huo, Yinan Shen, Zhen Hua, and Baoguo Zhang, Improving the Quality of GaN Crystals by Using Graphene or Hexagonal Boron Nitride Nanosheets Substrate, ACS Appl. Mater. Interfaces 2015, 7, 4504−4510  
4.Gang Zhao , Shuo Han , Aizhu Wang , Yongzhong Wu , Mingwen Zhao , *Zhengping Wang , * and Xiaopeng Hao *“Chemical Weathering” Exfoliation of Atom-Thick Transition Metal Dichalcogenides and Their Ultrafast Saturable Absorption Properties, Adv. Funct. Mater. 2015, 25, 5292–5299  
5.Yongliang Shao, Lei Zhang, Xiaopeng Hao, *Yongzhong Wu, Yuanbin Dai, Yuan Tian and Qin Huo, Large Area Stress Distribution in Crystalline Materials Calculated from Lattice Deformation Identified by Electron Backscatter Diffraction, SCIENTIFIC REPORTS, 4: 5934, DOI: 10.1038/srep05934, 2014            
6. Lei Zhang, Jiaoxian Yu, Xiaopeng Hao,* Yongzhong Wu, Yuanbin Dai, Yongliang Shao, Haodong Zhang and Yuan Tian，Influence of stress in GaN crystals grown by HVPE on MOCVD-GaN/6H-SiC substrate, SCIENTIFIC REPORTS, 4: 4179, DOI:10.1038/srep04179, 2014         

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2018自然科学基金面上项目-低应力低位错密度4英寸GaN单晶的HVPE生长研究
批准号        51872162        学科分类        ( )
负责人        郝霄鹏        职称                单位名称        山东大学
资助金额        60万元        项目类别        面上项目        起止年月        2019年01月01日 至 2022年12月31日