大连交通大学材料科学与工程学院丁万昱

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丁万昱，男，1979年6月出生，大连交通大学教授、博士生导师，理学博士，从事材料物理与化学专业。主持国家自然科学基金青年基金和面上项目各1项；辽宁省及大连市自然科学基金各1项；其他科研项目7项；以第一作者或通讯作者发表sci收录论文20余篇。获得辽宁省技术发明二等奖1次；指导研究生获得辽宁省优秀硕士研究生学位论文1次。入选辽宁省高等学校优秀科技人才支持计划第一、二层次。入选辽宁省“百千万人才工程”万层次人选；入选首届大连市青年科技之星。


丁万昱
学科、专业领域名称         材料科学与工程、机械工程
学 术 职 衔         博士生、硕士生导师
导 师 姓 名         丁万昱
所获最高学位及单位         博士   大连理工大学
职       称         教授
工 作 部 门         大连交通大学 材料科学与工程学院
联 系 电 话        0411-84106876
电 子 邮 箱        dwysd@djtu.edu.cn，dwysd_2000@163.com
研 究 方 向        薄膜热电偶制备、材料表面与界面
学习及工作经历
2015.08-至   今，大连交通大学，材料科学与工程学院，教授。
2010.07-2015.07，大连交通大学，材料科学与工程学院，副教授。
2007.10-2010.06，大连交通大学，材料科学与工程学院，讲师。
2002.09-2007.10，大连理工大学，物理与光电工程学院(硕博连读)，博士。
1998/09-2002/07，大连理工大学，物理系，学士。
进修及访学经历
2014.09-2015.07，大连理工大学，材料科学与工程学院，教育部高等学校青年骨干教师国内访问学者培训计划。
2011.09-2012.03，日本琦玉工业大学，先端科学研究所，特聘研究员。
2008.07-2009.03，日本琦玉工业大学，先端科学研究所，特聘研究员。
承担科研项目情况
1. 国家自然科学基金面上项目、51472039、C/N/F离子在过渡金属后金属氧化物薄膜中的扩散机理研究、2015/01-2018/12、85万元、在研、主持。
2. 大连市支持高层次人才创新创业项目，NiCr/NiSi薄膜热电偶界面势垒对载流子输输运过程及测温精度影响机理研究，2015/09-2018/08，10万元，在研，主持。
3. 辽宁省高等学校优秀科技人才支持计划、LR2015010、2015/08-2018/07、20万元、在研、主持。
4. 大连市支持高层次人才创新创业项目、NiCr/NiSi薄膜热电偶界面势垒对载流子输输运过程及测温精度影响机理研究、2015/09-2018/08、10万元、在研、主持。
5. 国家自然科学基金青年基金、51102030、a-SiOxNy薄膜化学键结构与缺陷形成机理的研究、2011/01-2014/12、25万元、已结题、主持。
6. 辽宁省高等学校杰出青年学者成长计划项目、LJQ2012038、2011/08-2014/07、12万元、已结题、主持。
7.  辽宁省自然科学基金、201202024、N离子束与TiO2薄膜表面相互作用及N掺杂机理研究、2012/01-2014/01、5万元、已结题、主持。
8. 大连市自然科学基金、2010J21DW008、离子束与PET表面相互作用的机理研究、2010/09-2012/08、5万元、已结题、主持。
9. 教育部重点实验室开放课题、DP1051203、PET表面改性及SiNx/PET界面化学键结构控制研究、2012/06-2014/06、2万元、已结题、主持。
申请专利情况
授权发明专利：
1. 丁万昱，刘金东，崔云先，一种在SiC基纤维复合材料表面粘结绝缘材料的粘结剂及其使用方法，授权专利号：CN201510015127.5，授权时间：2016.05.27。
申请发明专利：
1. 丁万昱，刘金东，一种氮掺杂二氧化钛薄膜材料的制备方法，专利申请号：CN201610180065.8，专利公开号：CN105671486A，专利公开时间：2016.06.15，专利实质审查时间：2016.07.13。
2. 丁万昱，刘金东，一种具有(004)晶面择优的二氧化钛薄膜材料的制备方法，专利申请号：CN 201610280115.X，专利公开号：CN106282924A ，专利公开时间：2017.01.04，专利实质审查时间：2017.02.01。
3. 于波，丁万昱，刘世民，柴卫平，介孔磷酸铌催化剂的制备方法及其在山梨醇制异山梨醇中的应用，专利申请号：CN 201510918916.X，专利公开号：CN105536832A，专利公开时间：2016.05.04。专利实质审查时间：2016.06.01。
近五年发表论文、著作情况
发表论著目录 (黑体下划线为丁万昱，*为通讯作者) ：
01. J. Liu, S. Zhao, H. Wang, Y. Cui, S. Liu, W. Jiang, N. Wang, C. Liu, W. Chai, W. Ding*, The influence of anatase titanium dioxide film (001) preferred orientation on N implantation process, Materials Letters, Accepted, 2017. (SCI 收录)
02. J. Liu, S. Zhao, Y. Cui, H. Wang, S. Liu, W. Jiang, C. Liu, N. Wang, W. Chai, W. Ding*, The investigation of band gap and n chemical bond structure of N-TiO2 film prepared by N ion beam implantation, Modern Physics Letters B, Vol. 30, 1650313, 2016. (SCI 收录)
03. J. Liu, S. Zhao, H. Wang, Y. Cui, W. Jiang, S. Liu, N. Wang, C. Liu, W. Chai, W. Ding*, Study on the chemical bond structure and chemical stability of N doped into TiO2 film by N ion beam implantation, Micro & Nano Letters, Accepted, 2016. (SCI 收录)
04. W. Ding, Y. Guo, D. Ju*, S. Sato, T. Tsunoda, The effect of CH4/H2 ratio on the surface properties of HDPE treated by CHx ion beam bombardment, Modern Physics Letters B, Vol. 30, 1650214, 2016. (SCI 收录)
05. Q. Zhang, J. Liu, Y. Cui, W. Ding*, The oxidation process of NiSix film at high temperature in air and the antioxidant effect of SiOxNy/NiSix film, J. Materials Science: Materials in Electronics, Vol. 26, 3291, 2015. (SCI收录)
06. J. Liu, W. Ding*, H. Wang, S. Liu, W. Jiang, C. Liu, N. Wang, W. Chai, The nanocrystalline structure of TiO2 film deposited by DC magnetron sputtering at room temperature, Modern Physics Letters B, Vol. 28, 1450216, 2014. (SCI收录)
07. W. Ding, D. Ju*, Y. Guo, K. Tanaka, Fumio Komori Formation of linearly linked Fe clusters on Si(111)-7×7-C2H5OH surface, Nanoscale Research Letters, Vol.9, 377, 2014. (SCI收录)
08. W. Ding*, L. Li, L. Zhang, D. Ju, S. Peng, W. Chai, An XPS study on the chemical bond structure at the interface between SiOxNy and N doped PET, J. Chemical Physics, Vol. 138, 104706, 2013. (SCI收录)
09. H. Liu, L. Li, T. Yao, W. Ding*, D. Ju, W. Chai, The effect of ion source working power on the composition and optical properties of TiO2 films bombarded by N ion beams, Surface & Coatings Technology, Vol. 219, 88, 2013. (SCI收录)
10. L. Li, H. Liu, W. Ding*, D. Ju, W. Chai, The effect of oxygen ion beam bombardment on the properties of tin indium oxide/polyethylene terephthalate complex, Thin Solid Films, Vol. 545, 365, 2013. (SCI收录)
11. H. Liu, L. Li, T. Yao, W. Ding*, H. Wang, D. Ju, W. Chai, Study on the optical property and surface morphology of N doped TiO2 film deposited with different N2 flow rate by DCPMS, J. Environmental Science, Vol. 25, Supplement, S54, 2013. (EI收录)
12. T. Yao, H. Liu, W. Ding*, D. Ju, W. Chai, The effect of working pressure on the composition and optical properties of TiO2 films bombarded by N ion beams, Materials Science Forum, Vol. 750, 302, 2013. (EI 收录)
13. 张立娜，丁万昱*，巨东英，柴卫平，氧离子束工作压强对PET表面化学键结构及润湿性能的影响，真空科学与技术学报，第33卷，第7期，684页，2013. (EI收录)
14. W. Ding, S. Ishiguro, R. Ogatsua, D. Ju*, The effect of growth surface morphology on the crystal structure and magnetic property of L10 order PtFe layers deposited by magnetron sputtering, Applied Surface Science, Vol. 258, 7976, 2012. (SCI收录)
15. W. Ding*, Y. Okabe, W. Chai, D. Ju, The influence of N ion bombardment on the properties of PET surface and SiNx/PET complex, Surface & Coatings Technology, Vol. 205, 5318, 2011. (SCI收录)
16. 丁万昱*，王华林，巨东英，柴卫平，O2流量对磁控溅射N 掺杂TiO2薄膜成分及晶体结构的影响，物理学报，第60 卷，028105页，2011. (SCI收录)
17. W. Ding*, D. Ju, W. Chai, A simple route to synthesize nanocrystalline TiO2 films at room temperature, Materials Letters, Vol. 64, 1634, 2010. (SCI收录)
18. W. Ding*, D. Ju, W. Chai, The effect of working pressure on the chemical bond structure and hydrophobic properties of PET surface treated by N ion beams bombardment, Applied Surface Science, Vol. 256, 6876, 2010. (SCI收录)
19. W. Ding*, J. Xu, W. Lu，X. Deng, C. Dong, Influence of N2 flow rate on the mechanical properties of SiNx films deposited by microwave electron cyclotron resonance magnetron sputtering, Thin Solid Film, Vol. 518, 2077, 2010. (SCI收录)
20. 张粲，丁万昱*，王华林，柴卫平，O2/Ar比例对直流脉冲磁控溅射制备TiO2薄膜光催化性能的影响，真空科学与技术学报，第30卷，106页，2010. (EI收录)
21. W. Y. Ding*, J. Xu, W. Q. Lu, X. L. Deng, C. Dong, Ultra-thin a-SiNx protective overcoats for hard disks and read/write heads, Chinese Physics B, Vol. 18, 1570, 2009. (SCI收录)
22. W. Ding*, J. Xu, W. Lu, X. Deng, C. Dong, The effect of N2 flow rate on discharge characteristics of microwave electron cyclotron resonance plasma, Physics of Plasmas, Vol. 16, 053502, 2009. (SCI收录)
23. 丁万昱*，徐军，陆文琪，邓新绿，董闯，微波ECR 磁控溅射制备SiNx薄膜的XPS结构研究，物理学报，第58 卷， 4109页，2009. (SCI收录)
24. 丁万昱*，王华林，苗壮，张俊计，柴卫平，沉积参数对SiNx薄膜结构及阻透性能的影响，物理学报，第58 卷，432页，2009. (SCI收录)
25. 丁万昱*，徐军，陆文琪，邓新绿，董闯，基片温度对SiNx薄膜结晶状态及机械性能的影响，物理学报，第57 卷，5170页，2008. (SCI收录)
26. 丁万昱*，徐军，李艳琴，朴勇，高鹏，邓新绿，董闯，微波ECR 等离子体增强磁控溅射制备SiNx薄膜及其性能分析，物理学报，Vol. 55，1363页，2006 (SCI收录)
27. W. Ding*, J. Xu, Y. Piao, Y. Li, P. Gao, X. Deng, C. Dong, Deposition of hydrogen-free silicon nitride thin films by microwave ECR plasma enhanced magnetron sputtering at room temperature. Chinese Physics Letter, Vol. 22, 2332, 2005 (SCI 收录)
获奖及个人荣誉
1. 崔云先，李东明，张军，丁万昱，钱敏，贾颖，孙宝元，殷俊伟，瞬态切削用NiCr/NiSi薄膜热电偶测温刀具研究，辽宁省科学技术厅，辽宁省技术发明奖，二等奖(2013F-2-01-04)，2013.
2. 丁万昱，大连市青年科技之星，大连市科技局，2014。
3. 丁万昱，第六届大连市青年科技奖，大连市科学技术协会，2015。
4. 丁万昱，徐军，陆文琪，邓新绿，The effect of N2 flow rate on discharge characteristics of microwave electron cyclotron resonance plasma, Physics of Plasmas，辽宁省科学技术协会，辽宁省自然科学学术成果奖，学术论文类二等奖(2011-LNL1120)，2011.
5. 丁万昱，Influence of N2 flow rate on the mechanical properties of SiNx films deposited by microwave electron cyclotron resonance magnetron sputtering，大连市科学技术协会，大连市自然科学优秀学术论文奖，三等奖(2011-167)，2011.
6. 丁万昱，一种在室温条件下制备纳米晶TiO2薄膜的新方法，辽宁省科学技术协会，辽宁省自然科学学术成果奖，学术论文类二等奖(2012-LNL0018)，2012.
7. 刘世民，丁万昱，柴卫平， Influence of Sb doping on crystal structure and electrical property of SnO2 nanoparticles prepared by chemical coprecipitation，辽宁省科学技术协会，辽宁省自然科学学术成果奖，学术论文类三等奖(2012-LNL0021)，2012.
社会兼职情况
Materials Letters审稿人，Journal of Alloys and Compounds审稿人，Surface & Coating Technology审稿人，Applied Physics A审稿人，Engineering Fracture Mechanics审稿人，Micro and Nano Letters审稿人，Nuclear Energy Science and Power Generation Technology审稿人，Materials and Design审稿人。

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2020年度国家自然科学基金项目评审结果近日公布，材料科学与工程学院丁万昱教授再获国家自然科学基金面上项目立项资助，这是丁万昱教授于2011年获批国家自然科学基金-青年基金资助后，第三次获得国家自然科学基金面上项目立项资助。
        丁万昱教授获批的《基于“团簇加连接原子”模型的透明导电氧化物类分子结构单元解析与设计研究》项目，是在其主持的上两个国家自然科学基金面上项目——《C/N/F离子在过渡金属后金属氧化物中的扩散机理研究》和《钙钛矿太阳能电池非规则界面载流子输运扩散机理研究》和基础上提出的。该项目综合利用“团簇加连接原子”模型解析透明导电氧化物材料的“类分子结构单元”，重点研究多元素掺杂透明导电氧化物材料“类分子结构单元”内掺杂元素竞争占位机理。同时，该项目利用逾渗模型研究电子载流子透明导电氧化物材料“类分子结构单元”内/间的输运路径，建立微观电子载流子输运路径与宏观电子载流子迁移率之间的联系。该项目为理解透明导电氧化物材料“类分子结构单元”和电子载流子运动规律提供理论指导，为设计研发新型高性能多元素掺杂透明导电氧化物材料体系提供理论依据。
       国家自然科学基金是我国支持基础研究的主渠道之一，也是彰显科研实力与学术水平的主要标志，对提升科学研究水平、促进团队建设和提高人才培养质量具有重要意义。