Chem. Soc. Rev.封面文章:TMDs电催化剂的计算模拟及实验制备

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共同第一作者：朱昌荣，高大强
共同通讯作者：晁栋梁，John Wang

合作单位：新加坡国立大学，兰州大学，南洋理工大学
前言：
    在二维材料这个大家族中，过渡金属硫族化合物（TMDs）由于它们可调控的催化，物理和化学性质，吸引了大量研究者的关注和可观的科研投入。较大的比表面积，可激活的催化位点和良好化学稳定性等优势赋予了TMDs材料在电催化剂方面应用的可能。但是由于它们的导电性较差，还有其他不足，许多研究主要集中在对它们的进一步修饰优化上。通过计算模拟和实验制备研究，人们发现TMDs材料在优化过程中可以采用许多手段，包括活性位点的掺杂/修饰，相结构修饰，形貌及异质结构的生长调控等。在基于TMDs材料的电催化剂研究中，计算模拟在其结构预测和催化机理的理解中起到了重要的作用。事实上，在对已知电催化剂的进一步修饰和发现新催化剂方面，计算模拟也逐渐成为一种不可替代的重要工具。


本文亮点：
    在本综述中，作者回顾总结了近年来TMDs基的高效率电催化剂在计算模拟和实验技术上的发展历程。为了更全面地说明这些，作者利用第一原理计算的方法揭示了结构修饰对TMDs材料催化活性的影响，另外，还研究了掺杂对底面活性位点（金属位和硫族原子位）及边缘活性位点的影响。除此以外，还对一些非层状结构的金属二硫（硒）化物进行了模拟计算。本综述对基于TMDs材料的催化剂未来发展前景做出了总结。