云南大学材料学院王茺

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王茺,云南大学研究员，云南大学材料科学与工程学院，副研究员，硕士生导师，云南省引进高层次人才，云南省中青年学术技术带头人后备人才，中国材料研究学会青委会理事，中国物理学会会员。一直从事科研和教学工作。为本科生讲授《工程力学》，为研究生讲授《材料合成与制备》和《现代分析与检测技术》。曾主持（含完成）8个科研项目，其中包括1项国家自然科学基金项目（11564043，53.2万元）、1项教育部科学研究重点项目（No.210207，10万元）、1项国家自然基金重大项目子课题（横向，No.10990103，20万元）、1项云南省教育厅重点项目（No.2015Z017）和2项云南省人才配套项目等。迄今已发表SCI收录论文57篇（其中18篇SCI论文为第一作者发表，另有18篇SCI论文为通讯作者发表），共获得7项发明专利授权，先后获得过4项省级科学技术奖励。




通讯地址：昆明市呈贡大学城东外环南路，云南大学材料科学与工程学院；
邮政编码：650500；
电子邮箱：cwang@ynu.edu.cn 或者cwang6@163.com；
QQ号码：1311435496。


一、受教育经历：
2004/03－2007/01，中国科学院上海技术物理研究所，红外物理国家重点实验室，博士（导师：陆卫）
2001/09－2004/01，昆明理工大学，材料系，硕士（导师姓名：张鹏翔）
1997/09－2001/07，云南大学，物理系，本科


二、研究工作经历：
2017/03－2018/02，美国休斯敦大学，电子与计算工程系，访问学者
2007/12－2017/02，云南大学，材料科学与工程学院，副研究员
2007/03－2007/11，云南大学，工程技术研究院，助理研究员

三、研究方向
1. 硅基发光材料及器件；
2. 硅基量子点及其光电探测器件；
3. 稀磁掺杂量子点自旋电子材料；
4. 有机-无机钙钛矿强发光材料与器件。


四、十篇代表性论文（*表示通讯作者）
[1] C. Wang*, S.Y. Ke, J. Yang, F. Qiu, R.F. Wang, Y. Yang, “Electronic properties of single Ge/Si quantum dot grown by ion beam sputtering deposition”, Nanotechnology, 26 (2015) 105201.
[2] C. Wang, Y. Yang, Z.F. Li, X.S. Chen, S.C. Shen, J.M. Liu, W. Lu, “Manipulation of quantum interference effects in La0.39Pr0.28Ca0.33MnO3-δ film by p-n junction at high temperature”, Journal of Applied Physics,103 (2008) 103705~103710.
[3] C. Wang, B. Zhang, C.S. Xia, T.X. Li, X.S. Chen, W. Lu, Q. Gong, “Optical transitions of surface InAs/GaAs (311B) quantum dots clearly identified by the piezoreflectance technique”, Applied Surface Science, 254 (2008) 4626~4631.
[4] C. Wang, Z.F. Li, X. M. Chen, J.M. Liu, H.Y. Cui, Y. Yang, W. Lu. “Study on carrier behavior in La0.9Ba0.1MnO3-δ/SrTiO3:Nb p-n heterojunction”, Thin Solid Films, 516 (2008) 4282~4287.
[5] C. Wang, P. P. Chen, N. Y. Tang, C. S. Xia, and W. Lu. “Piezomodulated and photomodulated reflectivity study of strained InGaAs/GaAs single quantum well”. Phys. Lett. A 350 (2006) 269~273.
[6] S.Y. Ke, J. Yang, F. Qiu, Z.Q. Wang, C. Wang∗, Yu Yang*, “Secondary growth mechanism of SiGe islands deposited on a mixed-phase microcrystalline Si by ion beam co-sputtering”, Nanotechnology, 26 (2015) 445602.
[7] S.Y. Ke, S. Ye, J. Yang, Z.Q. Wang, C. Wang∗, Yu Yang*, “Morphological evolution of self-assembled SiGe islands based on a mixed-phase pre-SiGe island layer grown by ion beam sputtering deposition”, Applied Surface Science, 328 (2015) 387~394.
[8] Y. Yang*, J.M. Bao, C. Wang*, M.J. Aziz, “Sub-bandgap luminescence centers in silicon created by self-ion implantation and thermal annealing”, Journal of Applied Physics, 107(2010) 123109.
[9] Z. Zhang , R.F. Wang , J. Zhang , H.S. Li, J Zhang, F Qiu, J Yang , C. Wang*, Y Yang, “Direct growth of Ge quantum dots on the graphene/SiO2/Si structure by using ion beam sputtering deposition”, Nanotechnology, 27 (2016) 305601.
[10] J. Yang, B. Zhao, C. Wang*, F. Qiu, R.F. Wang, Y. Yang, “Improving the growth of Ge/Si islands by modulating the spacing between screen and accelerator grids in ion beam sputtering deposition system”, Applied Surface Science, 386 (2016) 303~308.