崔屹

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崔屹Nat. Commun.：在少层MoS2表面进行可逆且选择性离子插层

用电化学对二维材料进行离子插层可实现在低温下调控二维材料的物理化学性质。近日，斯坦福大学崔屹教授课题组成功实现了在少层MoS2表面进行可逆且选择性离子插层，理论计算表明，该技术的成功得力于MoS2表面丰富的天然缺陷。这一发现对日后开发功能性二维材料器件具有指导意义。

Zhang J, Yang A, Cui Y, et al. Reversible and selective ionintercalation through the top surface of few-layer MoS2[J]. Nature Communications, 2018.

DOI: 10.1038/s41467-018-07710-z

https://www.nature.com/articles/s41467-018-07710-z