上海科技大学物质科学与技术学院光子凝聚态薛加民

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薛加民，上海科技大学。2006年从中国科学技术大学获得理学学士学位，2012年从美国亚利桑那大学获得博士学位。2012年至2014年在美国德克萨斯大学奥斯丁分校从事博士后研究工作。2014年8月加入上海科技大学物质科学与技术学院任助理教授、研究员。主要研究手段：一是利用低温超高真空扫描探针显微镜技术来研究材料的晶体结构，电子学性质；二是利用低温强磁场输运技术来研究二维纳米材料中的电子相互作用；三是利用化学气相沉积方法生长纳米材料。主要研究对象：新型二维材料，包括石墨烯，过渡族金属硫化物（TMD），拓扑绝缘体等。


薛加民    助理教授、研究员
研究方向        用扫描探针显微镜和低温强磁场输运技术研究新材料和微纳结构的物理性质
联系方式        xuejm@@shanghaitech.edu.cn

科研成果                 
1、“Graphene on Hexagonal Boron Nitride”Mattew Yankowitz, Jiamin Xue, B. J. LeRoy, J. Phys.: Condens. Matter, Topical Review 26, 303201 (2014).
2、“Chemical potential and quantum Hall ferromagnetism in bilayer graphene mapped using double bilayer heterostructures”Kayoung Lee, B. Fallahazad, Jiamin Xue, David C. Dillen, Kyounghwan Kim, T. Taniguchi, K. Watanabe, E. Tutuc, Science 345, 58-61 (2014).
3、“Berry phase and the unconventional quantum Hall effect in graphene” Jiamin Xue, arXiv:1309.6714 (2013)
4、“Emergence of Superlattice Dirac Points in Graphene on Hexagonal Boron Nitride” Matthew Yankowitz, Jiamin Xue, Daniel Cormode, Javier Sanchez-Yamagishi, K. Watanabe, T. Taniguchi, Pablo Jarillo-Herrero, Philippe Jacquod and Brian J. LeRoy, Nature Physics 8, 382–386 (2012).
5、“Long wavelength local density of states oscillations near graphene step edges” Jiamin Xue, Javier Sanchez- Yamagishi, K. Watanabe, T. Taniguchi, Pablo Jarillo- Herrero, and Brian J. Le Roy, Physical Review Letters 108, 016801 (2012).
6、“Scanning tunneling microscopy and spectroscopy of ultra-flat graphene on hexagonal boron nitride” Jiamin Xue, Javier Sanchez-Yamagishi, Danny Bulmash, Philippe Jacquod, Aparna Deshpande, K. Watanabe, T. Taniguchi, Pablo Jarillo-Herrero & Brian J. LeRoy, Nature Materials 10, 282-285 (2011).

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近日，上海科技大学物质科学与技术学院薛加民课题组与华东师范大学和东南大学团队合作，在新型滑移铁电体系的研究中取得进展。研究团队揭示了新型滑移铁电与传统铁电的不同性质，同时展示了它在多值存储方面的应用潜力，相关成果发表于国际学术杂志《自然·通讯》（Nature Communications）。
        关于铁电的研究已有百年历史。近年来，低维铁电体系蓬勃发展，为铁电家族引入了新的成员。其中的二维铁电绝缘体天然地适合制备成铁电隧穿结，为铁电在电子学器件中的应用提供了方便。对其进行研究将推进相关基础科学和应用技术的发展。
        薛加民课题组和合作者在前期工作的基础上（Advanced Materials 34, 2203990 (2022)），制备了基于三个原子层厚的氮化硼铁电器件，如图一a所示。由于层间转角，他们发现在器件中同时出现了面外铁电和反铁电的畴（图一b）。

图一：a 器件示意图。b 两套三角形铁电畴重合，交错形成铁电和反铁电区域。

         通过利用导电原子力显微镜，他们精细地测量了铁电和反铁电区域的隧穿曲线，发现了有趣的铁电极化逐层反转的特性。如图二所示，研究者确定了极化翻转的路径，同时也实现了器件在三个或四个阻值之间的切换。
        上海科技大学研究生吕铭，华东师范大学研究生王九龙和东南大学研究生田明为本文共同一作。东南大学万能，华东师范大学童文旖和上海科技大学薛加民为本文通讯作者。上科大为合作成果的第一完成单位。
         文章标题：Multiresistance states in ferro- and antiferroelectric trilayer boron nitride
         文章链接：https://www.nature.com/articles/s41467-023-44617- w