中科院苏州纳米所张凯

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碲化铅（PbTe）是一种带隙为0.32 eV的直接窄带隙半导体，由于其具有优异的光电性能，在红外光电子领域具有潜在的应用优势。然而碲化铅是岩盐结构的非层状材料，通过传统的外延方法难以得到高质量的二维碲化铅纳米片，这限制了其在实际中的进一步应用。在这篇工作中，中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所张凯等利用范德华外延生长模式，采用低成本的化学气相沉积法通过温度精确调控PbTe的生长模式，成功制备了利于高集成的超薄高结晶性二维PbTe纳米片。所生长的PbTe纳米片最薄为7 nm，横向尺寸几十微米。基于二维PbTe纳米片制备的光电探测器件，表现出优异的红外光电探测性能，室温下在1550 nm波段可达到3847 A/W的超高响应率。这项工作表明二维PbTe纳米片具有开发高性能微型红外光电器件的巨大潜力，也为进一步推进PbTe在其他方面的广泛应用奠定了基础。

Xinxin Zhao, Qing Yin, Hao Huang, Qiang Yu, Bo Liu, Jie Yang, Zhuo Dong, Zhenjiang Shen, Benpeng Zhu, Lei Liao & Kai Zhang*. Van der Waals epitaxy of ultrathin crystalline PbTe nanosheets with high near-infrared photoelectric response. Nano Res. 2020, https://doi.org/ 10.1007/s12274-020-2834-5.