山西师范大学化学与材料科学学院许小红

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许小红，1966年4月出生，山西新绛人，中共党员，中国共产党第十八次全国代表大会代表，博士，教授，博士生导师。1988年毕业于天津大学并分配到山西师范大学工作，1996年在北京科技大学获硕士学位，2001年在西安交通大学获博士学位，2001-2006年期间在华中科技大学、英国谢菲尔德大学、日本东北大学从事博士后及合作研究。历任山西师范大学化学与材料科学学院副院长、材料化学研究所所长，2006年1月任山西师范大学科技处处长，2016年9月任山西师范大学党委委员、副校长。   
现为国家杰出青年科学基金获得者，百千万人才工程国家级人选，国务院特殊津贴专家，山西省首批“三晋学者”特聘教授，山西先进永磁材料与技术协同创新中心主任。现兼任美国IEEE磁学会北京分会副主席，中国真空学会理事，中国电子学会应用磁学分会委员，中国物理学会磁学分会委员，中国物理学会女物理工作者委员会委员，Intermag 2015国际程序委员会委员，《SPIN》、《ADV COND MATTER PHYS》等期刊的编委。先后主持了国家杰出青年科学基金项目、国家自然科学基金重点项目、国家自然科学基金面上项目、国家863计划项目等，在Phys. Rev. Lett., J. Am. Chem. Soc., Appl. Phys. Lett., Phys. Rev. B, Carbon, ACS Appl. Mater. Interface, Sci. Rep.等权威学术期刊上发表SCI收录论文100余篇，所发表论文在SCI中被他引1500余次，以第一完成人获山西省自然科学一等奖1项。   

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邀请讲座人： 许小红 教授
简介：许小红，山西师范大学教授，博士生导师，山西师范大学副校长,国家杰出青年科学基金获得者。2001年在西安交通大学获博士学位，2001-2006年期间在华中科技大学、英国谢菲尔德大学、日本东北大学从事博士后及合作研究。主要从事磁电阻材料及磁性传感器，氧化物半导体自旋电子学材料等方面的研究。先后主持了国家自然科学基金重点项目、国家重点研发计划课题、国家863计划项目等，在Phys. Rev. Lett., Adv. Mater., Appl. Phys. Lett.等学术期刊上发表SCI论文150余篇，他引2500余次。申请和获得专利20项，以第一完成人获省部级自然科学一等奖1项，二等奖2项。
【报告题目】氧化物薄膜的电场与磁场调控
时间:  10月10日 09:40-10:10
地点: 新材料大楼材料学院第一会议室
摘要:
   利用电场精准调控离子在氧化物薄膜中的迁移与重排，可逆调控材料化学组分及其物理特性，利用磁场调控氧化物薄中的自旋取向与电子隧穿。在此基础上，主要研究氧化物薄膜存储器件中纳米导电通道和界面结构的可控构建、有效调控及其功能化等，重点探究电场、磁场等多物理场对其电阻状态进行精确高效调控的新方法与物理机制，旨在优化阻变与磁电阻存储器的性能，并实现其多值化和多功能化。

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2018自然科学基金面上项目-钙钛矿稀土镍酸盐(RNiO3)薄膜及其异质结的磁电性质研究
批准号        51871137        学科分类        金属磁性材料 ( E010501 )
负责人        许小红        职称                单位名称        山西师范大学
资助金额        60万元        项目类别        面上项目        起止年月        2019年01月01日 至 2022年12月31日

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5月11日，山西省教育厅官网发布2019年山西省优秀学位论文审定结果，根据省教育厅《山西省优秀学位论文评选办法》等文件精神，经各高等学校、各研究生培养单位推荐，委托第三方（山西省高等院校科技发展中心）组织专家复核复查，最终确定2019年度研究生优秀学位论文。我院2019届博士毕业生王兰芳的学位论文《镍基/贵金属复合纳米阵列的制备及其电化学性质研究》入选山西省优秀博士学位论文，指导教师为许小红教授。

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范德华（vdW）材料在维度降低时通常表现出独特的物理特性，为探索基础物理和新器件应用提供了理想平台。其中二维（2D）磁性vdW晶体随着厚度减薄会出现独特的磁性质,特别是单层极限下的铁磁性及厚度依赖的磁特性是备受关注的研究热点。同时，原子级厚度和弱层间相互作用使vdW磁体具有机械柔性以及对外部刺激的敏感性，如，通过外部应力可有效控制和操纵磁态，为构筑新型柔性自旋器件提供备选方案。因此，研究2D磁性材料的厚度依赖磁性以及应变可调制磁性具有重要意义。

       次文娟博士（导师：许小红教授）与薛武红老师合作，通过化学气相沉积法成功合成厚度在几纳米到十几纳米的少层VSe2纳米片，其表现出稳定的室温铁磁性。利用磁力显微镜技术揭示了厚度依赖的微观磁性，当厚度接近单层时，样品具有明显的磁畴信号，随着厚度的增加，磁畴信号急剧下降，当厚度超过6 nm时，磁畴信号基本消失。此外，VSe2的磁性可以通过施加外部应变来控制，在拉伸应变中，Ms增加，在压缩应变中，Ms减小，这是由于在应变作用下V-Se相对距离和相互作用的变化。同时，与未施加应变的样品相比，在施加压缩应变和拉伸应变的样品中均观察到Hc的降低。这项工作拓宽了VSe2在应变电子器件或柔性器件领域中的应用。
        相关成果以《Thickness-dependent and strain-tunable magnetism in two dimensional van der Waals VSe2》为题发表在Nano Research期刊上（SCI一区， 影响因子：10.27）。全文链接：https://doi.org/10.1007/s12274-022-4400-9