西南科技大学材料科学与工程学院材料系魏贤华

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魏贤华,西南交通大学教授，博士学位，2006年 4月在西南科技大学工作。2006年5月至2008年11月在电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室从事博士后研究工作。2010年5月-10月在香港理工大学应用物理系从事助理研究员的工作。多年来从事功能氧化物薄膜的制备与物理性能研究。近年来，作为研究骨干主持或主研参加多项国家自然科学基金、国家重大基础研究项目（973）、中国博士后后科学基金等项目。在《物理学报》、《真空科学与技术学报》等刊物上发表论文30余篇，其中被SCI收录的有 20余篇。

姓名：魏贤华        

性别：男        

出生年月：1976.11.15

技术职称：教授         

导师类型：硕导

所在学科专业名称：材料科学与工程

主要研究方向或学科专长：功能薄膜、电介质材料

电子邮箱：weixianhua@swust.edu.cn

个人简历

受教育经历：

2002/09 – 2005/12，电子科技大学，微电子与固体电子学院，博士

1999/09 – 2002/07，成都理工大学，应用化学系，硕士

1994/09 – 1998/07，成都理工大学，应用化学系，学士

研究工作经历：

2012/07 – 2012/12，香港理工大学，应用物理学系，Research Associate

2010/05 – 2010/10，香港理工大学，应用物理学系，Research Associate

2006/05 – 2008/11，电子科技大学，微电子与固体电子学院，博士后

2006/04 – 今，西南科技大学，材料科学与工程学院，副研究员、教授；四川省非金属复合与功能材料重点实验室，教授

近三年科学研究情况

主要学术成果

[1] Xin-Cai Yuan, Jin-Long Tang, Hui-Zhong Zeng, Xian-Hua Wei*, Abnormal coexistence of unipolar, bipolar, and threshold resistive switching in an Al/NiO/ITO structure. Nanoscale Research, Letters 9, 268 (2014).

[2] Xu Fu, Xiangzhong Cui, Xianhua Wei*, Jiangning Ma, Investigation of low and mild temperature for synthesis of highquality carbon nanotubes by chemical vapor deposition, Applied Surface Science, 292, 645-649, 2014.

[3] S. Li, X. H. Wei*, H. Z. Zeng, Electric-field induced transition of resistive switching behaviors in BaTiO3/Co:BaTiO3/BaTiO3 trilayers, Applied Physics Letters, 103, 133505, 2013.

[4] S. Li, H. Z. Zeng, S. Y. Zhang, X. H. Wei*, Bipolar resistive switching behavior with high ON/OFF ratio of Co:BaTiO3 films by acceptor doping, Applied Physics Letters, 102, 153506, 2013.

[5] 魏贤华，反射高能电子衍射在薄膜生长中的表面分析，科学出版社，25万字，2012。

[6] L. Chen, X. H. Wei*, Upconversion Luminescence Tuning of Er3+ Doped Barium Titanate, Integrated Ferroelectrics, 140, 187–194, 2012.

[7] CHEN Lei, WEI Xian-hua*, FU Xu, Effect of Er substituting sites on upconversion luminescence of Er3+-doped BaTiO3 films, Transactions of Nonferrous Metals Society of China, 22, 1156−1160, 2012.

[8] Lei Chen, Xiaolu Liang, Zhen Long, Xianhua Wei*, Upconversion photoluminescence properties of Er3+-doped BaxSr1−xTiO3 powders with different phase structure, Journal of Alloys and Compounds, 516, 49-52, 2012.

目前在研项目情况

四川省教育厅重点项目；

电子薄膜与集成器件国家重点实验室开放课题；

西南科技大学军工培育项目。

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魏贤华研究团队的王雨晨硕士等在《Applied Physics Letters》（自然指数期刊，影响因子3.5）在线发表了题为“Ultralow operation voltages of a transparent memristor based on bilayer ITO”的重要研究成果。该成果由西南科技大学环境友好能源材料国家重点实验室、中国科学院宁波材料所合作完成。该论文通讯作者为我室魏贤华教授，西南科技大学为该论文的第一通讯单位。

忆阻器是一种新型电子器件，具有信息存储、逻辑计算、神经模拟等功能。传统的忆阻器单元为金属/绝缘体/金属结构，其工作参数如阻变电压的减小是降低功耗的关键。本工作提出双层 ITO结构器件，无需在中间插入介质层，器件的两层 ITO 层既充当电极层又充当阻变层。在初始化过程后，器件的电阻突然增加四个数量级，器件从低阻态转换为高阻态。并且之后器件表现出典型的双极性开关特性，其set电压达到仅有14 毫伏时， reset 电压为0.3 V左右，在目前所有报道的氧化物忆阻器中，其set电压值最小。其机制可解释为：在初始化过程后，氧离子会在电场的驱动下朝着顶电极方向移动，从而导致在上层的 ITO 中形成富氧区域以及两个 ITO 层之间的氧浓度梯度，氧浓度梯度的存在也将有助于随后的 set 过程中氧离子的迁移；此外本工作中上层沉积的ITO显微结构展现疏松多空，氧离子将更容易迁移以形成导电细丝。这项研究解决了忆阻器应用中几个常见的问题：简化了器件结构，降低了工作电压以及突触的功耗。本工作表明该原型器件不仅为简化器件结构和薄膜沉积过程奠定了基础，而且为开发低功耗的透明多功能器件提供了可能。
文章链接：https://doi.org/10.1063/5.0008416