浙江大学化学系彭笑刚

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单分散纳米晶体的基本生长通道的定量鉴定

近20年来，高质量纳米晶体的合成化学研究取得了很大进展。胶体纳米晶体的独特尺寸依赖性是理解结晶的便利探针。结晶从纳米级开始。在文献中，记录了高质量纳米晶体的几种生长机制，包括“尺寸分布的聚焦”、取向和非取向附着、“尺寸分布的自聚焦”等。虽然这些机制中的每一个都被某些实验结果所支持，但尚不清楚它们中的一个是否能提供高质量纳米晶体的合成的图像。

近日，浙江大学彭笑刚和方群课题组在JACS上发表了题为“Quantitative Identification of Basic Growth Channels for Formation of Monodisperse Nanocrystals” 的文章。研究人员开发了自动化微反应器系统被开发并应用于单分散CdS纳米晶体的合成，其与液相傅里叶变换红外和UV-vis测量相结合，分别测定前体转化率和纳米晶体的尺寸/浓度，具有高重现性（< 1％）和适当的时间分辨率（<1秒）。与最接受的形成单分散纳米晶体的模型不同，一次成核随后通过直接结合由前体转化的单体而生长所有核，所有三个基本通道被发现在单分散CdS纳米晶体生长过程中共存。虽然新理论和实验方法被用于研究单分散纳米晶体的生长，但它们可以扩展为提供形成胶体纳米晶体的完整动力学图像。