华中科技大学化学与化工学院材料与环境化学研究所王帅

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王帅，华中科技大学教授，博士生导师，教育部新世纪优秀人才(2011年)，湖北省楚天学者特聘教授(2011年)。主要研究领域集中在石墨烯基纳米材料的制备、结构构筑、物理化学性质调控和功能型应用等方面。先后主持或参与国家重点研发计划、科技部A类973项目、国家自然科学基金面上项目、湖北省科技计划重点项目等多项科研项目;近五年已在Advanced Materials、Advanced Energy Materials、ACS Nano、Nano Letters、Nano Energy等国际权威期刊发表论文80余篇，被引4000余次; H指数35;申请专利24项，其中授权15项，3项已实现成果转化。


姓 名： 王帅   Shuai Wang
出生年月：1974-12
学历： 博士
职称： 教授
专业方向：功能材料及器件
电 话：27-87543432
Email：chmsamuel@mail.hust.edu.cn
个人主页：
教育与研究经历
2000年-2003年 中国科学院北京化学所攻读博士学位。
2003年-2005年 日本科学促进会（JSPS）外国人特别研究员，在日本大阪大学太阳能研究中心从事科研工作。
2005年至2006年任日本大阪大学工程系和三井化学特任研究员。
2006年至2011年任新加坡国立大学物理系和化学系研究员。
2011年至今在华中科技大学任职，是国家特聘教授、“楚天学者”特聘教授和“教育部跨世纪优秀人才”。
研究领域与兴趣
主要从事有机光电和碳纳米等功能材料和器件方面的研究工作，近年来先后主持日本科学促进会、日本大阪大学和三井化学、国家自然基金、湖北省“楚天学者特聘教授”、教育部“跨世纪优秀人才”资助的多项科研项目，在光电功能材料及器件方面取得了一系列研究成果。相关的报道为2010年Nano Lett.上最受关注的头20篇文章，并获此杂志邀请制作2011年的视频专刊。可印刷光学传感器的研究被Adv. Mater.选为封面。已在Nano Lett.、JACS、Adv. Mater.、ACS Nan、Adv. Functional. Mater.、ChemCom.、Appl. Phy. Lett.、J. Chem. Phys.、Phys. Rev. B.、Small, Green Chemistry 等国际权威期刊发表论文50余篇，2011年Nano Lett.视频专刊论文一篇，相关的研究成果被Nature Publishing Group和Chemical & Engineering News等着重介绍，并被Nature Chemistry，Chem. Soc. Rev., Nano Lett., Angew. Chem.-Inte. Editoon, Adv. Mater., JACS，Progress in Materials Science等杂志多次引用。
代表性成果
1.        Wang, S. et al. Printable graphene electronics. Nano Lett. Virtual special issue. 2011 (invited).
2.        Wang, S.et al. High mobility, printable, and solution-processed graphene electronics. Nano Lett. 2010, 10, 92-98. （top 20 most-accessed articles in Nano Letters over the last 12 months of 2010）
3.        Wang, S. et al. Graphene as Atomic Template and Structural Scaffold in the Synthesis of Graphene−Organic Hybrid Wire with Photovoltaic Properties. ACS Nano 2010, 4, pp 6180–6186. (Highlighted by Chemical & Engineering News).
4.        Manga, K. K., Wang, S. et al. High Gain Graphene-Titanium oxide Photoconductor Made from Ink Jet Printable Ionic Solution. Adv. Mater. 2010, 22, 5265-5270. (共同第一作者)(Cover page)
5.        Wang, S.et al. Wrapping graphene sheets around organic wires for making memory devices. Small. 2011. 7. 2372-2378.
6.        Wang, S. et al. Wide memory window in graphene oxide charge storage nodes. Appl. Phys. Lett. 2010, 96, 143109-1-3.
获奖与荣誉
1. 国家特聘教授；
2.楚天学者”特聘教授；
3.教育部新世纪优秀人才。