北京大学高鹏

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高鹏，北京大学物理学院研究员，2010年在中国科学院物理研究所获得凝聚态物理学博士学位，2010-2015年间在美国密歇根大学、美国布鲁克海文国家实验室、日本东京大学从事博士后研究工作。从2005年开始一直从事透射电子显微学相关的研究，发表论文30余篇，其中包括9篇Nature子刊和1篇Science。曾获中国科学院宝洁奖、优秀毕业生奖，中科院物理所所长优秀奖、表彰奖等，2014年入选日本振兴学会（JSPS）外国人特别研究员。

高鹏，博士，研究员
物理学院电子显微镜实验室，北京大学
邮件: p-gao@pku.edu.cn
电话：+86-10-62745365
地址：综合科研楼124房间
研究组主页：http://www.phy.pku.edu.cn/~pgao/home.html

研究兴趣
基于各种透射电子显微学方法来研究功能晶体材料。研究对象主要包括（1）晶体材料中缺陷的原子和电子结构；（2）外场下晶体的结构相变和缺陷演化；（3）离子在固态材料中的迁移动力学过程，如电池材料、阻变存储、催化等。

研究手段
主要研究手段包括（1）基于超高空间分辨的图像定量分析（皮米尺度精确测量）；（2）基于超高能量分辨的电子能量损失谱技术；（3）基于高时间分辨的各种原位电镜探测技术。


代表性论文（总共38篇，包括9篇NatureCommu./Mater./Nano, 1篇Science）

•   P. Gao*, H.-J. Liu, Y.-L. Huang, Y.-H. Chu, R.Ishikawa, B. Feng, Y. Jiang, N. Shibata, E.-G. Wang, Y. Ikuhara, “Atomic Mechanism of Polarization-Controlled Surface Reconstruction in Ferroelectric Thin Films”.Nature Communications 7, 11318 (2016).
• P. Gao*, L.P. Wang, Y.Y. Zhang,Y. Huangand K.H. Liu, “Atomic-Scale Probing of the Dynamics of Sodium Transport and Intercalation Induced Phase Transformations in MoS2”, ACS nanoDOI: 10.1021/acsnano.5b04950 (2015).
• P. Gao, J. Britson, C. T. Nelson, J. R. Jokisaari, C. Duan, M. Trassin, S-H. Baek, H. Guo,L. Li, Y. Wang, Y.-H. Chu, A. M. Minor, C-B. Eom, R. Ramesh, L-Q. Chen, and X.Q. Pan*, “Ferroelastic domain switching dynamics under electrical and mechanical excitations”, Nature Communications5:3801 | DOI: 10.1038/ncomms4801 (2014).
• Y. Yang, P. Gao, L.Z. Li, X. Q. Pan, S. Tappertzhofen, S. H. Choi, R. Waser, I. Valov, W. D. Lu*, “Electrochemical dynamics of nanoscale metallic inclusions in dielectrics”, Nature Communications 5: 4232 doi:10.1038/ncomms5232(2014).
• P. Gao, J. Britson, J. R. Jokisaari, C. T. Nelson, S.-H. Baek, Y. Wang, C.-B. Eom,L.-Q. Chen and X.Q. Pan*, “Atomic Scale Mechanisms of Ferroelastic Domain Wall Mediated Ferroelectric Switching”, Nature Communications4:2791 doi: 10.1038/ncomms3791 (2013).
• S. Lee, C. Tarantini, P. Gao, J. Jiang, J. D. Weiss,       F. Kametani, C. M. Folkman, Y. Zhang, X. Q. Pan,    E. E. Hellstrom, D. C. Larbalestier and C. B. Eom* “Artificially engineered superlattices of pnictide superconductors”, Nature Materials12, 392-396 (2013).
• P. Gao, C. T. Nelson, J. R. Jokisaari, Y. Zhang, S-H. Baek, C. W. Bark, E-G Wang, Y. M. Liu, J. G. Li, C-B Eom, and X. Q. Pan* “Direct observations of retention failure in ferroelectric memories”. Advanced Materials 24, 1106-1110 (2012).
• Y. Yang, P. Gao, S. Gaba, T. Chang, X. Q. Pan, and W. Lu*, “Observation of Conducting Filament Growth in Nanoscale Resistive Memories”. Nature Communications 3,732 (2012).
• C. T. Nelson, P. Gao, J. R. Jokisaari, K. Zhang, C. Heikes, C. Adamo, A. Melville, B. Winchester, Y. J. Gu, Y. M. Liu, S-H Baek, C. M. Folkman, E-G. Wang, C-B Eom, J. Y. Li, L-Q. Chen, D. G. Schlom, and X. Q. Pan*, “Domain dynamics during ferroelectric switching”. Science 334, 968 (2011).
• P. Gao, C. T. Nelson, J. R. Jokisaari, S-H Baek, C. W Bark, Y. Zhang, E-G. Wang, D. G. Schlom, C-B. Eom, and X. Q. Pan*, “Revealing the role of defects in ferroelectric switching with atomic resolution”. Nature Communications 2, 591 (2011).
• P. Gao, Z. C. Kang, W. Y. Fu, W. L. Wang, X. D. Bai* and E. G. Wang*, “Electrically driven redox process of cerium oxides”. J. Am. Chem. Soc 132, 4197-4201 (2010).