武汉大学材料系余睿

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余睿，武汉大学教授、博导。2005年于华中科技大学电子科学与技术系获得学士学位。2011年于中国科学院物理研究所获得博士学位。2011-2015年先后在香港大学和日本NIMS从事博士后研究工作。目前在武汉大学物理科学与技术学院工作。感兴趣的方向是物质的拓扑态以及相关物理问题的研究。在Scinece，PRL，PRB等期刊上发表论文10余篇。


单　位        武汉大学物理科学与技术学院
职　称        教授
学　历        博士
E-mail        yurui1983@foxmail.com
研究方向        第一性原理计算，材料计算、计算算法发展、拓扑绝缘体，拓扑半金属等材料研究

个人简介： 2005年华中科技大学电子科学与技术系获得学士学位。2011年中国科学院物理研究所毕业获博士学位，获中科院百篇优秀博士论文奖。毕业后先后在香港，日本从事博士后研究。2016年入选中国青年##计划。

主要研究方向
1）基于第一性原理计算方法的材料研究。
2）模型研究。提取可描述材料物理本质的低能有效模型或紧束缚模型，进一步研究其电学，光学，磁学等新奇物理性质。
3）发展计算方法，为研究材料的新奇性质提供更有力的工具。

过去的主要工作、已获得的科研成果及荣誉
主要研究领域是拓扑电子材料，包括拓扑绝缘体和拓扑半金属等。主要工作如下：
1）通过第一性原理计算提出了磁性掺杂的拓扑绝缘体薄膜能够实现量子反常霍尔效应。
2）发展了一套拓扑绝缘体拓扑数的数值计算方法，可以直接嵌入到VASP等程序包，计算材料的拓扑性质。
3）提出了一系列nodal-line拓扑半金属的材料方案。
在SCI科技期刊发表论文10余篇，其中以第一作者或通讯作者发表文章10篇，包括一篇科学，一篇PRL，五篇PRB等。

目前的研究课题及展望
目前主持国家自然科学基金一项。主要研究方向是寻找实验条件更友好的拓扑电子材料。 包括：更高温度的量子反常霍尔材料体系、具有大能隙的拓扑绝缘体、实验上更容易测量和使用的拓扑半金属材料等。此外还将把研究领域扩展到光学系统，声学系统和时间周期调控系统等更广阔的材料体系，通过理论计算，研究更加丰富的拓扑现象。

培养研究生情况
拟每年招收硕博研究生1-3名。欢迎对第一性原理计算，材料计算，解析建模，计算代码发展等研究探索感兴趣的同学报考和加入课题组。Email：yurui1983@foxmail.com

发表论文列表
[1] Quantized anomalous Hall effect in magnetic topological insulators，R Yu, W Zhang, HJ Zhang, SC Zhang, X Dai, Z Fang，Science 329 (5987), 61-64, 2010
[2] First-principles studies of the three-dimensional strong topological insulators Bi2Te3, Bi2Se3 and Sb2Te3，W Zhang, R Yu, HJ Zhang, X Dai, Z Fang
New Journal of Physics 12 (6), 065013, 2010
[3] Equivalent expression of Z 2 topological invariant for band insulators using the non-abelian Berry connection，R Yu, XL Qi, A Bernevig, Z Fang, X Dai，Physical Review B 84 (7), 075119, 2011
[4] Topological Aspect and Quantum Magnetoresistance of β− Ag 2 Te，W Zhang, R Yu, W Feng, Y Yao, H Weng, X Dai, Z Fang，Physical review letters 106 (15), 156808, 2011
[5] Topological node-line semimetal and dirac semimetal state in antiperovskite Cu 3 PdN，R Yu, H Weng, Z Fang, X Dai, X Hu，Physical review letters 115 (3), 036807, 2015
[6] Topological node-line semimetal in three-dimensional graphene networks，H Weng, Y Liang, Q Xu, R Yu, Z Fang, X Dai, Y Kawazoe，Physical Review B 92 (4), 045108, 2015
[7] Quantum anomalous Hall effect and related topological electronic states
H Weng, R Yu, X Hu, X Dai, Z Fang
Advances in Physics 64 (3), 227-282, 2015
[8] Model Hamiltonian for topological Kondo insulator SmB6，R Yu, HM Weng, X Hu, Z Fang, X Dai，New J. Phys. (2015) 023012 17, 023012, 2015
[9] Topological insulator to Dirac semimetal transition driven by sign change of spin-orbit coupling in thallium nitride
XL Sheng, Z Wang, R Yu, H Weng, Z Fang, X Dai
Physical Review B 90 (24), 245308, 2014
[10] Topological node-line semimetal in compressed black phosphorus，J Zhao, R Yu, H Weng, Z Fang，Physical Review B 94, 195104, 2016
[11] Topological states of non-Dirac electrons on a triangular lattice，QF Liang, R Yu, J Zhou, X Hu，Physical Review B 93, 035135, 2016
[12] Topological nodal line semimetals in CaP3 family of materials，Q Xu, R Yu, Z Fang, X Dai, H Weng，arXiv preprint arXiv:1608.03172, 2016
[13] Pseudo-Spin, Real-Spin and Spin Polarization of Photo-emitted Electrons，R Yu, H Weng, Z Fang, X Dai，Physical Review B 94, 085123, 2016
[14] Determining the chirality of Weyl fermions from circular dichroism spectra in time-dependent angle-resolved photoemission，R Yu, H Weng, Z Fang, H Ding, X Dai，Physical Review B 93, 205133, 2016