浙江大学材料学院杨德仁

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“铸锭单晶是太阳能硅材料重要的发展方向，希望铸锭单晶技术在今后1－2年重新开始大规模应用，”在近日举办的相关活动上，中国科学院院士、硅材料国家重点实验室主任杨德仁在报告中详细阐述了铸锭单晶的前世今生。会上，来自协鑫的长晶技术总监胡动力博士也在工业化应用的层面介绍了铸锭单晶技术的进展。他表示，在与直拉单晶实现同瓦输出的情况下，铸锭单晶 硅片价格 低0.3－0.4元/片，给客户更高的性价比。
“第三条路线：铸锭单晶兼具低成本和高效率”
在《铸造单晶硅材料的生长和缺陷控制》报告中，杨德仁院士表示，十余年来，多晶、单晶市场份额变化的钟摆效应，是市场政策、技术发展共同作用的结果，两种技术路线将会共存，谁也不会简单消灭谁。而第三种技术路线——铸锭单晶，利用籽晶通过铸锭的方法生长出单晶硅，把两种技术的优点结合起来，既有低成本，低能耗，也有高质量、高效率。
“所以铸锭单晶技术在过去十年以及最近得到了非常大的关注”，杨德仁院士表示，从1977年第一次在国外杂志上发表，到2006年转换效率做到18％，再到2010年铸锭单晶技术实际上已经工业化应用，市场份额占到15％－20％。杨德仁强调，铸锭单晶的优势在于电阻率更加均匀，比多晶增加1％以上的转换效率，同时又保持了多晶的低光衰优势，光衰仅仅是直拉单晶的20％－30％。
杨德仁院士同时指出，铸锭单晶在过去一段时间面临位错密度、单晶率、材料利用率和籽晶成本等问题挑战，其中位错是关键因素。“我们的研究团队提出增加晶界的改进方法，‘以毒攻毒’，可以有效的降低位错。我们希望这样的技术在今后1－2年重新开始大规模应用”，杨德仁院士说。