华南理工大学材料学院高分子光电材料与器件研究所姚日晖

jianchi

姚日晖
所在系所：        高分子光电材料与器件研究所
职  称：        副教授
研究领域：        
招生专业
材料物理与化学 材料工程
通信方式
通信地址：        广州市天河区五山路381号华南理工大学材料学院
邮政编码：        510640
办公地点：        光电楼
办公电话：        87114346-23
电子邮箱：        yaorihui@scut.edu.cn
移动电话：        15915759347


教育与工作经历 科研与教学情况
教育经历：
1998.9-2002.6    中山大学理工学院物理系      学士
2002.9-2008.6   中山大学理工学院光学工程专业   博士
工作经历：
2008.7-    华南理工大学材料科学与工程学院


科研情况：
   主要从事光电材料及器件领域的研究，包括用于AMOLED的TFT器件、AMOLED显示技术、半导体照明技术等领域。在国内外学术期刊上发表论文20余篇，申请专利8项。近五年来, 主持及参与国家、省部级项目和企事业委托项目十余项。
    1、部分近年来主持及参与的项目：
    1) 主持“基于叠层符合有源层的高迁移率氧化物薄膜晶体管研究”，清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室开放课题，2015.1-2016.12
    2) 主持“柔性AMOLED显示背板关键技术研究”，广东省部产学研结合项目，2013.4-2015.5
    3) 主持“AMOLED的高世代TFT基板关键产业技术研究”，广东省部产学研结合项目，2011.2-2013.2
    4) 主持“非晶IGZO透明薄膜晶体管沟道层材料研究”，广东高校优秀青年创新人才培养计划，2011.1-        2012.12
    5) 参与“大尺寸AMOLED关键技术及工艺研究”，国家863计划项目2011/02-2012/02
2、部分发表论文
1)      All-aluminum Thin Film Transistor Fabrication at Room Temperature, Materials, 10(3),  p 222, 2017/2/23.
2)     基于柔性显示器件应用的氧化铝介电层室温制备研究, 光学学报, 37(3),  p 0331001, 2017/1/22.
3)        Direct inkjet printing of silver source/drain electrodes on Amorphous InGaZnO layer for thin-film  transistors, Materials, 10(1), p 51, 2017/1/10.
4)        Effect of Intrinsic Stress on Structural and Optical Properties of Amorphous Si-Doped SnO2 Thin-Film, Materials, 10(1), p 24, 2017/1/1.
5)     室温生长AZO/Al2O3叠层薄膜晶体管性能研究, 发光学报, 11期, pp 1372-1377, 2016/11/15.
6)        Direct patterningof silver electrodes with 2.4 μmchannel length by piezoelectric inkjet printing, Journal of Colloid & Interface Science, 487卷, pp 68-72, 2016/10/11.
7)        Effect of Post Treatment for Cu-CrSource/ Drain Electrodes on a-IGZO TFTs, Materials, 9(8), p 623, 2016/6/27.
8)        High-performance back-channel-etched thin-film transistors with amorphous Siincorporated SnO2 active layer, Applied Physics Letters, 108卷, p 112106, 2016/3/17.
9)     铜-钼源漏电极对非晶氧化铟镓锌薄膜晶体管性能的改善, 物理学报, 12期, pp 69-75, 2015/6/23.
10)  基于金属催化化学腐蚀的硅纳米线可控制备, 功能材料, 12(45), pp 12122-12126, 2014/6.
11)    Enhancement of bias and illumination stability in thin-film transistors by doping InZnO with wide-band-gap Ta2O5, Applied Physics Letters, 102(24), 2013/6/17.
12)  金属催化化学腐蚀法制备硅纳米线, 材料导报, 27(12), pp 1-6, 2013/12.
13)  A new compensation pixel circuit with all-p-type TFTs for AMOLED displays, Displays, 34(3), pp 187-191, 2013/7.
14)  直下式LED背光源模组第二扩散导光板光学特性分析, 光电子-激光, 24(4), pp 679-686, 2013/4.
15)  去除铝基板的大功率LED热分析, 发光学报, 33(12), pp 1362-1367, 2012/12.
16)  电极对CuPc/C_(60)双层异质结有机太阳能电池光学性能的影响, 发光学报, 33(08), pp 888-894, 2012/8.
17)    Stable ambipolar organic–inorganic heterojunction field-effect transistors andinverters with Cytopinterlayer, RSC Advances, 7(10), pp 5966-5969, 2017/1/17.
18)    Enhanced adhesion and field emission of CuO nanowires synthesized by simply modifiedthermal oxidation technique, Nanotechnology, 27卷,  p 395605, 2016/8/26.
19)    薄膜晶体管中高性能HfO2的低温制备研究, 真空科学与技术学报, 36(8), pp 862-865, 2016/8/15.
20)    InGaZnO thin-film transistors with back channel modification by organic  self-assembled monolayers, Applied Physics Letters, 104(051607), pp 051607-1-051607-4, 2014/2/3.
21)    Solution-processed efficient CdTe nanocrystal/CBD-CdS hetero-junction solar cells with ZnO interlayer, Journal of Nanoparticle Research, 15(11), 2013/10/16.
22)    Letter: A low-cost low-temperature thin-film-transistor backplane based on oxide semiconductor, Journal of the Society for Information Display, 20(4), pp 175-177, 2012/4.