南昌大学材料学院周耐根

wumaikaishi

周耐根，南昌大学“赣江特聘”教授，博导，副院长。
主要经历：1993 -1997年本科就读于武汉理工大学（原武汉工业大学）无机非金属材料专业；2000 -2005年硕博连读于南昌大学材料物理与化学专业；2008 -2009年在美国Brown大学工程系从事博士后研究工作。1997年7月至今在南昌大学材料科学与工程学院从事教学和科研工作，2002年讲师，2006年破格副教授，2011年教授。
教学工作：主讲了《材料科学基础》、《材料工程基础》、《材料力学》、《计算机在材料科学中的应用》、《学科导论》和《热工基础及设备》等专业主干课程。曾先后三次在南昌大学青年教师授课竞赛中获奖；以及作为主要参与获得江西省高校第五届优秀多媒体教学课件一等奖，第十届全国多媒体课件大赛二等奖，第十五届全国多媒体课件大赛课件三等奖和微课组二等奖等奖项。
科研工作：主要从事材料计算模拟与设计方面的研究，包括电子尺度的第一性原理计算、原子/分子尺度的分子动力学模拟和宏观尺度的有限元/有限体积法数值模拟等。主持了国家自然科学基金项目三项（项目号:51561022、 51361022和10502024）和江西省自然科学基金项目三项(项目号: 20151BAB206001、 20114BAB206037和0350011)；作为主要参与完成了国家级和省级的科研项目十余项。已发表论文70余篇，其中第一作者和通讯作者的论文被SCI检索收录20余篇。获国家发明专利授权3项。曾荣获江西省自然科学三等奖和江西省高等学校科技成果一等奖。
近两年代表性论文：
[1]   Naigen Zhou, Maohua Lin, Meiqian Wan, Lang Zhou. Lowering Dislocation Density of Directionally Grown Multicrystalline Silicon Ingots for Solar Cells by Simplifying Their Post-Solidification Processes-A Simulation Approach. Journal of Thermal Stresses, 2015, 38: 146-155
[2]  Xiang Zeng, Jinwen Hu, Xiao Zhang, Naigen Zhou*,Weiya Zhou, Huaping Liu*, Sishen Xie. Ethanol-assisted gel chromatography for single-chirality separation of carbon nanotubes. Nanoscale, 2015, 7, 16273–16281
[3]   Naigen Zhou, XiaoyuanWu, XiuqinWei, LangZhou, YuepengWan, DongliHu. A molecular dynamics study of nucleation of dislocation in growth of silicon from melt. Journal of Crystal Growth, 2016, 443: 15-19
[4]   Naigen Zhou, Bo Liu, Chi Zhang, Ke Li, Lang Zhou. Molecular dynamics study of anisotropic growth of silicon. Chinese Physics B, 2016, 25(7): 078109-078114
[5]   Chi Zhang, Yaorong Luo, Ke Li, Naigen Zhou*, Lang Zhou. The influence of a threading dislocation on (110) interface morphology and growth rate of silicon crystal growth from melt. Applied Physics A, 2016, 122:954-959
联系方式：
地址：江西省南昌大学前湖校区材料科学与工程学院
邮编：330031
E-mail: ngzhou@163.com
热忱欢迎对材料计算模拟与设计感兴趣的同学加入！

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Al2O3掺杂BaTi0.85Sn0.15O3陶瓷的制备及性能表征

朱谷城, 胡波平, 万美茜, 周耐根

南昌大学 材料科学与工程学院, 南昌 330031

摘要

通过传统固相二次烧结法来制备x wt% Al2O3（x=0、1.0、1.5）/BaTi0.85Sn0.15O3（BTS）陶瓷。研究了掺杂不同含量Al2O3对BTS陶瓷的微观结构、介电性能及挠曲电性能的影响。结果表明，掺杂Al2O3的BTS陶瓷不改变陶瓷的晶体结构，仍为标准钙钛矿结构晶型；Al2O3的掺入能够有效降低晶粒尺寸，具有明显的细晶作用。随着Al2O3含量的增大，Al2O3/BTS陶瓷的介电常数减小，介电损耗得到明显改善，居里峰逐渐宽化且向温度高的方向偏移。Al2O3/BTS陶瓷的挠曲电系数随着Al2O3含量的增加和测试环境温度的升高均减小。此外，Al2O3/BTS陶瓷的挠曲电系数和介电常数之间存在一种近线性关系，但当温度非常接近于居里温度时，这种线性关系减弱。