安徽大学物理与材料科学学院材料系何刚

coco2017

何刚，安徽大学教授。2001年获安徽大学理学学士学位，2006年获中国科学院合肥物质科学院固体物理所凝聚态物理博士学位。2007～2011曾先后在日本东京大学、日本国家材料研究所从事科学研究工作。现为安徽大学物理与材料科学学院特聘教授、安徽省皖江学者特聘教授、博士生导师、国家自然科学基金、安徽省自然基金评审专家。在凝聚态物理、特别是在铪基超薄栅的物性及其MOS器件性能探索方面,取得了一系列的原创性成果,得到了国际同行的认可和高度关注。在国际有影响的刊物（如Pro. Mater. Sci., Surf. Sci. Rep., Appl. Phys. Lett., J. Mater. Chem., J. Appl. Phys等）发表论文110余篇，被正面引用近1000余次。

学    位：理学博士
职    称：皖江学者特聘教授，博导
籍     贯: 安徽桐城
研究方向：凝聚态物理、纳米器件
电    话：+86-13856969684
E-mail：hegang@ahu.edu.cn                                
课题组主页： http://www.ahu-hegang-group.com

个人简介：
2001年获安徽大学理学学士学位，2006年获中国科学院合肥物质科学院固体物理所凝聚态物理博士学位。2007～2011曾先后在日本东京大学、日本国家材料研究所从事科学研究工作。现为安徽大学物理与材料科学学院特聘教授、安徽省皖江学者特聘教授、博士生导师、国家自然科学基金、安徽省自然基金评审专家。
在凝聚态物理、特别是在铪基超薄栅的物性及其MOS器件性能探索方面,取得了一系列的原创性成果,得到了国际同行的认可和高度关注。在国际有影响的刊物（如Pro. Mater. Sci., Surf. Sci. Rep., Appl. Phys. Lett., J. Mater. Chem., J. Appl. Phys等）发表论文110余篇，被正面引用近1000余次。

承担项目：
1.国家自然科学基金(10804109)：应用于下一代场效应晶体管栅极材料的探索-Al、N共掺的铪基超薄膜的制备和物性研究，2009-2011，主持
2.教育部科学技术重点项目(编号: 212082)：新型高k栅与GaAs基沟道材料的界面调控与器件性能研究，2012-2014，主持
3.安徽省自然科学基金(编号: 1208085MF99)：高k栅HfTiON的制备及其在顶栅结构石墨烯场效应晶体管中的应用研究，2012-2014，主持
4.留学人员科技活动择优资助项目：铪基高k栅与GaAs沟道材料的界面调控与相关器件性能研究，2014-2016，主持
5.安徽大学杰出青年科学研究培育基金项目(编号: KJJQ1103)：高k叠层栅HfTiON/AlON的结构实现及Ge基MOSFET应用研究，2012-2015，主持
6.国家科技部973项目（编号：2013CB632705）：人工微结构材料集成的深空红外探测器研制与应用研究，2013-2017，参与

代表论著：
(1)G. He*, J. W. Liu, H. S. Chen, Y. M. Liu, Z. Q. Sun, X. S. Chen, M. Liu, and L. D. Zhang, J. Mater. Chem. C. 2(27) (2014) 5299. (IF=6.013)
(2)G. He*, X. S. Chen, and Z. Q. Sun, Sur. Sci. Rep. 68 (2013) 68. (IF=24.562)
(3)G. He*, T. Chikyow, X. S. Chen, H. S. Chen, and Z. Q.  Sun, J. Mater. Chem. C. 1 (2013) 238. (IF=6.013)
(4)G. He*, B. Deng, Z. Q. Sun, X. S. Chen, Y. M. Liu, and L. D. Zhang, Crit. Rev. Solid State Mater. Sci. 38 (2013) 235. (IF=9.467)
(5)G. He*, Z. Q. Sun, G. Li, and L. D. Zhang, Crit. Rev. Solid State Mater. Sci. 37 (2012) 131. (IF=9.467)
(6)G. He*, Z. Q. Sun, S. W. Shi, X. S. Chen, J. G. Lv, and L. D. Zhang, J. Mater. Chem. 22 (2012) 7468. (IF=6.013)
(7)G. He*, L. Q. Zhu, Z. Q. Sun, Q. Wang, and L. D. Zhang, Prog. Mater Sci. 56 (2011) 475. (IF=25.870)
(8)G. He*, T. Chikyow, and S. F. Chichibu, Appl. Phys. Lett. 97 (2010) 161907.  (IF=3.794)
(9)G. He*, L. D. Zhang, M. Liu, and Z. Q. Sun, Appl. Phys. Lett. 97 (2010) 062908. (IF=3.794)
(10)G. He*, Z. Q. Sun, M. Liu, and L. D. Zhang, Appl. Phys. Lett. 97 (2010) 192902. (IF=3.794)
文章及专著详情：http://www.researcherid.com/rid/E-8050-2010

获奖情况：
1.安徽省自然科学二等奖（2014，第一获奖人）
2.日本文部省JSPS特别研究员奖（2007，第一获奖人）
3.中国科学院院长优秀奖（2005，第一获奖人）

manyibu

何刚教授课题组在III-V-MOFET器件界面钝化及性能优化研究上取得重要进展

近日，我院何刚教授课题组在III-V族半导体界面钝化及MOSFET器件领域取得重要进展。该组二篇研究文章“Interface modulation and optimization of electrical properties of HfGdO/GaAs gate stacks by ALD-derived Al2O3 passivation layer and forming gas annealing" 和"Comparative study on in-situ surface cleaning effect of intrinsic oxide covering GaAs surface using TMA precursor and Al2O3 buffer layer for HfGdO gate dielectrics" 分别在电子器件权威期刊《Advanced Electronic Materials》和材料知名期刊《Journal of Materials Chemistry C》上在线发表。

论文链接：

http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/aelm.201700543/full

http://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2018/tc/c8tc00070k#!divAbstract

《Advanced Electronic Materials》由德国Wiley出版社出版。作为Advanced Material家族系列的子刊，具有世界顶级的遴选标准和影响力。该期刊是一个跨学科、同行评议、高品质、高影响力的原创性研究期刊，主要刊登材料科学和电子磁性材料、物理和工程领域高水平原创论文，包括物理、电子和磁性材料、自旋电子学、电子学、器件物理和工程、微纳米机电系统以及有机电子产品。

多年来，III-V族半导体界面钝化、热力学稳定、无费米能级钉扎的新型高k栅获取与III-V-MOSFET器件构筑，一直是微电子器件研究领域的重点，同时也是高速低功耗器件、CMOS集成电路必不可少的组成部分。该课题组利用原子层前驱体的自清洁效应和快速热退火的有机结合，钝化了III-V界面，实现了对界面缺陷态的有效修复；同时利用稀土元素Gd有效掺杂铪基栅介质，有效调控了铪基栅介质的本征缺陷，抑制了氧空位和器件的漏流，并首次利用低温探针台测试了器件低温环境下的输运机制，器件性能良好。本课题的突破, 将为满足下一代工作于极端环境的新型器件的设计提供实验基础和理论依据，有重要的科学意义和实用价值。

该研究工作同时得到了三项国家自然科学基金面上项目的支持(11774001；51572002；11474284)和安徽省自然科学基金面上项目(1608085MA06)专项资金的经费支持。

chuxin

何刚教授课题组（何刚教授课题组网站：www.ahu-hegang-group.com）在（1）低温构筑高性能薄膜晶体管及逻辑反相器；（2）MOS叠层栅的界面态控制及器件性能优化方面取得重要进展。相关研究结果以“Low-Voltage-Operating Transistors and Logic Circuits Based on Water-Driven ZrGdOx Dielectric with Low Cost ZnSnO”和“Comparative passivation effect of ALD-driven HfO2 and Al2O3 buffer layers on the interface chemistry and electrical characteristics of Dy-based gate dielectrics”在电子器件专业期刊《ACS Applied Electronic Materials》和材料知名期刊《Journal of Materials Chemistry C》在线发表。

论文链接：https://pubs.acs.org.ccindex.cn/doi/10.1021/acsaelm.9b00110

             https://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2019/tc/c8tc05736b

          课题组硕士生王蝶利用原子层前驱体的自清洁效应和快速热退火的有机结合，有效调控了沟道层界面态密度，利用稀土元素掺杂抑制了铪基栅介质的本征缺陷和器件的漏流，器件性能良好。博士生杨兵利用全水溶液工艺制备了基于稀土元素掺杂的栅介质，低温构筑了高性能的薄膜晶体管和逻辑反相器。超薄高k栅介质和薄膜晶体管是柔性显示器件领域的研究重点，同时也是低功耗显示器、CMOS集成电路必不可少的组成部分。该课题组利用价格低廉的全水溶液工艺低温制备了性能优异的高k栅介质薄膜，且器件能低压稳定操作，反相器增益和动态响应良好。相关的研究结果对低能耗柔性器件的发展具有重要的意义。

         该研究工作得到了国家自然科学基金【11774001；51572002；11474284】、安徽省自然科学基金【1608085MA06】及物科院开放基金【S01003101】等专项资金的经费支持。