中国科学院宁波材料技术与工程研究所曾俞衡

xinkai

曾俞衡，博士，中国科学院宁波材料技术与工程研究所副研究员，硕士生导师。2005年浙江大学材料科学与工程学系获学士学位，2010年浙江大学硅材料国家重点实验室获博士学位，毕业后在中科院宁波材料所从事博士后研究，2013年晋升为副研究员、硕士生导师，2015年赴澳洲国立大学做访问学者一年，于2017年入选中国科学院青年创新促进会。 曾俞衡长期从事晶体硅材料、纳米硅材料、新型硅太阳电池的相关研究，对硅材料和硅太阳电池器件有长期而深入的研究，擅长材料微缺陷分析和器件分析；目前已经在Adv. Energy. Mater.、Nano Energy、Sol. Energy、Sol. RRL, J. Appl. Phys.等期刊上发表SCI论文40余篇，申请国家发明专利近20项。近年来，他承担过包括中国自然科学基金面上项目/青年项目、中国博士后科学基金特别资助/面上资助、浙江省和宁波市自然科学基金等多个项目，曾获2011年度浙江省科学技术奖一等奖。




曾俞衡  男  硕导  中国科学院宁波材料技术与工程研究所
电子邮件： yuhengzeng@nimte.ac.cn
通信地址： 浙江省宁波市镇海区庄市大道519号
邮政编码： 315201
研究领域
硅太阳电池；晶体硅材料；纳米硅材料；第一性原理计算；


教育背景
2005-09--2010-06   浙江大学   材料物理化学/博士学位
2001-09--2005-06   浙江大学   材料科学与工程/学士学位


工作简历
2015-02~2016-01,澳大利亚国立大学, 中科院青年访问学者
2013-01~现在, 中国科学院宁波材料技术与工程研究所, 副研究员
2010-06~2012-12,中国科学院宁波材料技术与工程研究所, 博士后/助理研究员
  
奖励信息
（1） 重掺磷直拉硅单晶的制备技术及应用, 一等奖, 省级, 2011
专利成果
（ 1 ） 一种用于硅晶体材料缺陷显示的腐蚀液及其使用方法, 发明, 2007, 第 3 作者, 专利号: CN 101082550 B
（ 2 ） 一种AZO/Si 异质结太阳电池及其制备方法, 发明, 2014, 第 5 作者, 专利号: 201410146632.9
（ 3 ） 一种黑硅钝化膜、其制备方法及应用, 发明, 2018, 第 3 作者, 专利号: 2018104963764
（ 4 ） 一种钝化接触晶体硅太阳电池的制备方法, 发明, 2018, 第 3 作者, 专利号: 201810135180.2
（ 5 ） 一种隧穿氧钝化接触晶体硅太阳电池的制备方法, 发明, 2018, 第 2 作者, 专利号: 201810134345.4
（ 6 ） 空穴钝化隧穿薄膜、制备方法及其在太阳电池中的应用, 发明, 2017, 第 3 作者, 专利号: CN201710694413.8
（ 7 ） 一种多晶硅薄膜的制备方法及其产物和包含该多晶硅薄膜的太阳能电池, 发明, 2017, 第 3 作者, 专利号: CN201710696833.X
（ 8 ） 一种钝化接触太阳能电池的制备方法及其产物, 发明, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN201710373280.4
（ 9 ） 一种湿法制备圆角化金字塔的方法, 发明, 2017, 第 3 作者, 专利号: CN201710335537.7
（ 10 ） 钝化接触太阳能电池, 发明, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN201610948435.8
（ 11 ） 太阳能电池氧化硅层的制备方法及太阳能电池, 发明, 2016, 第 2 作者, 专利号: CN201610985304.7
（ 12 ） 太阳能电池氧化硅层的制备方法及太阳能电池, 发明, 2016, 第 2 作者, 专利号: 201610985304.7
（ 13 ） 一种隧穿氧化层钝化接触太阳能电池及其制备方法, 发明, 2016, 第 3 作者, 专利号: CN201610271978.0
（ 14 ） 一种隧穿硅氧氮层钝化接触太阳能电池及其制备方法, 发明, 2016, 第 2 作者, 专利号: CN201610272824.3
（ 15 ） 一种低硼掺杂下高电导率氢化非晶硅薄膜的制备方法, 发明, 2013, 第 5 作者, 专利号: CN201310251540
（ 16 ） 一种富硼层和硼硅玻璃层的快速无损椭偏测试方法, 发明, 2018, 第 1 作者, 专利号: 201810638142
（ 17 ） 提升隧穿氧/多晶硅钝化接触结构的钝化性能的方法, 发明, 2018, 第 2 作者, 专利号: 201811213988.4
（ 18 ） 用于钝化接触结构的预扩散片及其制备方法和应用, 发明, 2018, 第 1 作者, 专利号: 2018116081488
（ 19 ） 一种钝化接触结构及其在硅太阳电池中应用, 发明, 2018, 第 1 作者, 专利号: 2018116077834
   
发表论文
（1） An industrially viable TOPCon structure with both ultra-thin SiOx and n+-poly-Si processed by PECVD for p-type c-Si solar cells, Solar Energy Materials & Solar Cells, 2019, 通讯作者
（2） Defect engineering of oxygen vacancies in SnOx electron transporting layer for perovskite solar cells, Materials Today Energy, 2019, 第 6 作者
（3） Characterization of tunnel oxide passivated contact with n-type poly-Si on p-type c-Si wafer substrate, Current Physics Express, 2019, 第 2 作者
（4） UV-Raman Scattering of Thin Film Si with Ultrathin Silicon Oxide Tunnel Contact for High Efficiency Crystal Silicon Solar Cells, Solar Energy Materials & Solar Cells, 2019, 第 2 作者
（5） Omnidirectional whispering-gallery-mode lasing in GaN microdisk obtained by selective area growth on sapphire substrate, Optics Express, 2019, 第 8 作者
（6） Engineering of Hole-Selective Contact for High-Performance Perovskite Solar Cell Featuring Silver Back-Electrode, Journal of Materials Science, 2019, 第 9 作者
（7） An Expanded Cox & Strack Method for Precise Extraction of Specific Contact Resistance of Transition Metal Oxide/ntype silicon Heterojunction, IEEE Journal of Photovoltaics, 2019, 第 8 作者
（8） Activating and optimizing evaporation-processed magnesium oxide passivating contact for silicon solar cells, Nano Energy, 2019, 第 8 作者
（9） Numerical exploration for high-efficiency structure design and free-energy loss analysis of polysilicon passivated contact p-type silicon solar cell, Solar Energy, 2019, 第 1 作者
（10） Improvement of surface passivation of TOPCon structure by thermal annealing in mixture of water vapor and nitrogen environment, Solar RRL, 2019, 通讯作者
（11） Performance enhancement of ultraviolet light emitting diode incorporating an Al nanohole arrays, Nanotechnology, 2018, 第 8 作者
（12） A strong-oxidizing mixed acid derived high-quality silicon oxide tunneling layer for polysilicon passivated contact silicon solar cell, Solar Energy Materials & Solar Cells, 2018, 通讯作者
（13） Tunnel Oxide - Magnesium as Electron-Selective Passivated Contact for n-type Silicon Solar Cell, Solar RRL, 2018, 通讯作者
（14） Carrier transport through the ultrathin silicon-oxide layer in tunnel oxide passivated contact (TOPCon) c-Si solar cells, Solar Energy Materials & Solar Cells, 2018, 第 2 作者
（15） Electron‐Selective Scandium−Tunnel Oxide Passivated Contact for n‐Type Silicon Solar Cells, Solar RRL, 2018, 通讯作者
（16） Dual Functional Electron‐Selective Contacts Based on Silicon Oxide/Magnesium: Tailoring Heterointerface Band Structures while Maintaining Surface Passivation, Advanced Energy Materials, 2018, 通讯作者
（17） Principles of dopant-free electron-selective contacts based on tunnel oxide/low work-function metal stacks and their applications in heterojunction solar cells, Nano Energy, 2018, 通讯作者
（18） Heterojunction solar cells with asymmetrically carrier-selective contact structure of molybdenum-oxide/silicon/magnesium-oxide, Solar Energy, 2018, 第 7 作者
（19） High-Performance Organic-Silicon Heterojunction Solar Cells by Using Al-Doped ZnO as Cathode Interlayer, Solar RRL, 2018, 第 6 作者
（20） Computational Analysis of a High-Efficiency Tunnel Oxide Passivated Contact (TOPCon) Solar Cell with a Low-Work-function Electron-selective-collection Layer, Solar Energy, 2018, 第 2 作者
（21） Theoretical exploration towards high-efficiency tunnel oxide passivated carrier-selective contacts (TOPCon) solar cells, Solar Energy, 2017, 第 1 作者
（22） Tuning of the Contact Properties for High-Efficiency Si/PEDOT: PSS Heterojunction Solar Cells, ACS Energy Letters, 2017, 第 6 作者
（23） Preparation of Silicon Nanocrystals and Their Applications in Solar Cells, PROGRESS IN CHEMISTRY, 2015, 第 3 作者
（24） Low temperature magnetron sputtering deposition of hydrogenated microcrystalline silicon thin films without amorphous incubation layers on glass, Journal of Non-Crystalline Solids, 2014, 第 4 作者
（25） Insight into Effects of Surface Oxidation and Carbonization on Electronic Properties of Silicon Quantum Dots and Silicon Slabs: Density Functional Study, RSC Advances, 2014, 第 1 作者
（26）  Passivation and antireflection AZO:H layer in AZO:H/p-Si heterojunction solar cells,  Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 2014, 第 3 作者
（27） Reduction of residual stress in SiO2-matrix silicon nano-crystal thin films by a combination of rapid thermal annealing and tube-furnace annealing, Physica Status Solidi A, 2013, 第 2 作者
（28） Effects of substrate temperature on structural and electrical properties of SiO2-matrix boron-doped silicon nanocrystal thin films, Applied Surface Science, 2013, 第 2 作者
（29） Effect of substrate temperature on conductivity and microstructures of boron-doped silicon nanocrystals in SiCx thin films, Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, 2013, 第 2 作者
（30） Preparation and characterization of phosphorus-doped silicon nanocrystals in SiCx films, Materials Science in Semiconductor Processing, 2013, 第 1 作者
（31） Grown-in precipitates in heavily phosphorus-doped Czochralski silicon, Journal of Applied Physics, 2012, 第 1 作者
（32） Thermodynamics of the formation of face-centered-cubic silicon nanocrystals in silicon-rich SiC thin films annealed using rapid thermal annealing, Applied Surface Science, 2012, 第 1 作者
（33） Oxygen precipitation heterogeneously nucleating on silicon phosphide precipitates in heavily phosphorus doped Czochralski silicon, Journal of Applied Physics, 2009, 第 1 作者
（34） Enhancement effect of nitrogen co-doping on oxygen precipitation in heavily phosphorus-doped Czochralski silicon during high-temperature annealing, Journal of Crystal Growth, 2009, 第 1 作者
（35） Oxygen precipitation in heavily phosphorus-doped Czochralski silicon: effect of nitrogen co-doping, Semiconductor Science and Technology, 2009, 第 1 作者
（36） Oxygen precipitation in heavily phosphorus-doped silicon wafer annealed at high temperatures, Materials Science and Engineering: B, 2009, 第 1 作者
（37） A chromium-free etchant for delineation of defects in heavily doped n-type silicon wafers, Materials Science in Semiconductor Processing, 2009, 第 1 作者
（38） Grown-in defects in heavily phosphorus-doped Czochralski silicon, Physica B: Condensed Matter, 2009, 第 1 作者
（39） Correlation between oxygen precipitation and generation of extended defects in Czochralski silicon: Investigation by means of scanning infrared microscopy, Journal of Electronic Materials, 2009, 第 1 作者
（40） Iron precipitation in as-received Czochralski silicon during low temperature annealing, Materials Science in Semiconductor Processing, 2009, 第 1 作者
（41） Oxygen Precipitation in Heavily Phosphorus-doped Czochralski Silicon, ECS Transactions, 2009, 第 1 作者
   
科研项目
（ 1 ） 国家自然科学青年基金, 主持, 国家级, 2012-01--2014-12
（ 2 ） 中国博士后科学基金面上项目及宁波市1:1配套, 主持, 国家级, 2011-06--2013-06
（ 3 ） 中国博士后科学基金第五批特别资助及宁波市1:1配套, 主持, 国家级, 2012-06--2014-05
（ 4 ） 浙江省自然科学基金面上项目, 主持, 省级, 2015-01--2017-12
（ 5 ） 国家自然科学基金面上项目, 主持, 国家级, 2016-01--2019-12
（ 6 ） 浙江省自然科学基金一般项目, 主持, 省级, 2019-01--2021-12
（ 7 ） n型多晶硅电池衰减机制和衰减控制技术, 主持, 国家级, 2019-01--2021-12
（ 8 ） 宁波市自然科学基金面上项目, 主持, 省级, 2011-02--2013-02
（ 9 ） 宁波市自然科学基金面上项目, 主持, 省级, 2014-04--2016-03
（ 10 ） 企业委托技术开发, 参与, 院级, 2016-07--2018-06

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2019年自然科学基金面上项目-基于宽带隙硅化物的隧穿氧化硅钝化接触结构及其在产业用硅太阳电池应用的研究
批准号        61974178       
学科分类        半导体光伏材料与器件 ( F040306 )
项目负责人        曾俞衡       
依托单位        中国科学院宁波材料技术与工程研究所
资助金额        60.00万元       
项目类别        面上项目        研究期限       
2020 年 01 月 01 日 至2023 年 12 月 31 日