浙江大学材料学院杨德仁

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杨德仁，浙江大学教授。1964年出生于江苏省扬州市，1985年浙江大学金属材料热处理专业本科毕业，1991年浙江大学硅材料国家重点实验室获半导体材料工学博士，1993年浙江大学材料科学与工程博士后流动站出站，晋升副教授，其间在日本东北大学金属材料研究所访问研究。1995年初赴德国FREIBERG工业大学工作，1997年5月被浙江大学特批晋升教授，1998年初回国在硅材料国家重点实验室工作，任副主任，博士生导师。2000年被聘为教育部长江奖励计划特聘教授，2002年获国家杰出青年基金。2005年获国家自然科学二等奖。


联系方式
电话：0571－87951667-8108
电子信箱：mseyang@zju.edu.cn
研究方向包括：
（1）超大规模集成电路用硅单晶材料的制备和缺陷工程
（2）太阳能光电铸造多晶硅材料和化合物薄膜光电转换材料
（3）纳米硅丝/管和其它一维纳米半导体材料
（4）硅基光 电子材料

教学工作：
半导体材料杂质和缺陷（硕博生）
新材料概论（普通高校本科生）
材料科学导论
半导体材料杂质和缺陷
材料科学导论
半导体材料杂质和缺陷（硕博生）
材料科学导论
材料科学导论
材料科学导论
材料科学导论（普通高校本科生）
半导体材料杂质和缺陷
半导体材料杂质和缺陷
半导体材料 （普通高校本科生）
半导体材料（普通高校本科生）
半导体材料杂质和缺陷
半导体材料（普通高校本科生）
半导体材料杂质和缺陷


科研项目：
掺磷直拉硅单晶的晶体生长和缺陷  20081131
N型铸造多晶硅的研究  绍兴精功 20070331
微锗掺杂直拉硅单晶氧和微缺陷的研究  20081231
第10届半导体中缺陷国际会议  科技部 20040931
太阳电池用多晶硅片的生产工艺优化研究  浙江精功光电有限公司，浙江大学 20060612
光学级大直径硅单晶  武汉717所 20051231
直径12英寸的掺氮直拉硅单晶的缺陷机理研究 20051231
快速热处理下大直径单晶硅中过渡族金属行为的研究  国家自然科学基金(重大研究计划) 20061231 快速热处理下大直径单晶硅中3d金属沉淀的研究 20061231
硅基光电子信息材料及应用  教育部 20071231
多晶硅材料与电池工艺研究 云南省校合作 20041231
超大规模集成电路用硅单晶光电特性研究 科技部 20051231
ULSI用硅材料杂质和缺陷 教育部 20031231
半导体材料 国家杰出青年科学基金 20061231
第七届高纯硅国际会议 国家自然科学基金(国际交流项目) 20021031
微氮硅单晶高压氧沉淀 科技部（中波政府间合作项目 20041231
超大规模集成电ULSI用硅材料的缺陷工程 科技部 20031231
直径12英寸掺氮硅单晶研究 科技部 20031231
高效多晶硅太阳电池基片腐蚀及钝化工艺 宁波市－浙大科技项目 20041231
中德硅材料研究进展研讨会  科技部 20020631
大直径直拉硅单晶的晶体生长和缺陷工程 浙江省科技重大项目（国际合作） 20041231
第九届国际硅材料会议 国家自然科学基金(国际交流项目) 20020531
纳米硅线的有序阵列化生长与表征 浙江省自然科学基金 20031231
太阳能电池单晶硅晶体 云南半导体器件厂 20031231
新型太阳能材料铸造多晶硅中氧的特性研究 教育部 20021231
直拉硅单晶氧沉淀研究  教育部 20021231
微氮硅单晶的杂质研究 教育部 20021231
铸造多晶硅中氧沉淀（第九届半导体中吸杂和缺陷工程）
国家自然科学基金(国际交流项目) 20011031
微氮硅单晶三点弯机械强度研究（21届半导体的缺陷国际会议）\t
国家自然科学基金(国际交流项目 20010731
太阳能硅单晶中氧的研究（欧洲材料研究会2001年春季会议）\t
国家自然科学基金(国际交流项目） 20010631
硅单晶中氮元素浓度的测定 北京大学重离子物理重点实验室开放基金 20021231
大直径硅单晶氧缺陷的改进  浙江省外专局引进国外技术和管理人才项目 20011231
超大规模集成电路（ULSI）用硅材料中杂质和缺陷的基础研究 科技部 20041231
高边坡稳定可靠性与支护结构的优化  20020601
微氮硅单晶的内吸杂  国家自然科学基金(国际交流项目） 20001131
长江学者配套科研经费  教育部长江学者奖励计划特聘教授基金 20050831
微氮硅单晶中氮氧复合体和位错的光致荧光谱与DLTS研究 科技部 20021231
硅单晶中氮元素浓度的精确测定  北京大学重离子物理重点实验室开放基金 20020331
铸造多晶硅中氧的特性和对光电效率的影响  国家自然科学基金 20021231
微氮硅单晶高压氧沉淀  科技部 20011231
氢对微氮硅单晶中氮关缺陷和过渡金属的作用  国家自然科学基金 20021231
硅中杂质  浙江省“151”人才基金 20010630
氢对氮关缺陷和过渡金属的作用  科技部 20001231
微氮硅单晶在高反压大功率器件中的应用研究  浙江省重大科技项目 20010630
硅单晶中氢和氮的相互作用  教育部 20011231
新型太阳能材料铸造多晶硅中  教育部优秀年轻教师基金 20011231
铸造多晶硅中氧的研究  教育部高校博士点基金 20011230

专著：
硅材料科学  20040601
聚焦纳米技术研究 20040306
《硅材料科学与技术》  20010101
《材料科学和技术大百科全书》 19950101

获得荣誉：
国家杰出青年基金  20011101
教育部长江学者奖励计划特聘教授  20000901
浙江省高校优秀留学回国人员  20060601
浙江省“十大时代先锋”  20060630
浙江省优秀共产党员  20060630
第九届中国青年科技奖， 20060522
浙江省跨世纪科学和技术带头人（“151”人才）(第一层次)  19990201

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“铸锭单晶是太阳能硅材料重要的发展方向，希望铸锭单晶技术在今后1－2年重新开始大规模应用，”在近日举办的相关活动上，中国科学院院士、硅材料国家重点实验室主任杨德仁在报告中详细阐述了铸锭单晶的前世今生。会上，来自协鑫的长晶技术总监胡动力博士也在工业化应用的层面介绍了铸锭单晶技术的进展。他表示，在与直拉单晶实现同瓦输出的情况下，铸锭单晶 硅片价格 低0.3－0.4元/片，给客户更高的性价比。
“第三条路线：铸锭单晶兼具低成本和高效率”
在《铸造单晶硅材料的生长和缺陷控制》报告中，杨德仁院士表示，十余年来，多晶、单晶市场份额变化的钟摆效应，是市场政策、技术发展共同作用的结果，两种技术路线将会共存，谁也不会简单消灭谁。而第三种技术路线——铸锭单晶，利用籽晶通过铸锭的方法生长出单晶硅，把两种技术的优点结合起来，既有低成本，低能耗，也有高质量、高效率。
“所以铸锭单晶技术在过去十年以及最近得到了非常大的关注”，杨德仁院士表示，从1977年第一次在国外杂志上发表，到2006年转换效率做到18％，再到2010年铸锭单晶技术实际上已经工业化应用，市场份额占到15％－20％。杨德仁强调，铸锭单晶的优势在于电阻率更加均匀，比多晶增加1％以上的转换效率，同时又保持了多晶的低光衰优势，光衰仅仅是直拉单晶的20％－30％。
杨德仁院士同时指出，铸锭单晶在过去一段时间面临位错密度、单晶率、材料利用率和籽晶成本等问题挑战，其中位错是关键因素。“我们的研究团队提出增加晶界的改进方法，‘以毒攻毒’，可以有效的降低位错。我们希望这样的技术在今后1－2年重新开始大规模应用”，杨德仁院士说。

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2020年5月7日，学术出版业巨头爱思唯尔(Elsevier)正式发布了2019年中国高被引学者(Chinese Most Cited Researchers)榜单，本次国内共有来自242个高校/科研单位/企业的2163位学者入选。Scopus是爱思唯尔公司推出的，全球领先的同行评议摘要引文数据库，收录了全球5,000多家出版商的超过24,000种期刊（其中中国大陆期刊超过730本），980多万篇学术会议论文，22万本书以及全球5大专利机构4400万条专利信息。覆盖自然科学、技术、工程、医学、社会科学、艺术与人文等学科。最早可追溯到1823年。
      本次榜单中学者单位为高校类别中，清华大学共有143位，位居第一，北京大学共有107位，位居第二。第三名为浙江大学97位，第四、第五位分别为上海交通大学95位，复旦大学63位。中山大学拥有55位高被引学者，位居第六，中国科学技术大学拥有46位排名第七，南京大学和同济大学各有40位，并列第八名，华中科技大学有39位，位列第十。入选的学者共分布在38个不同的学科，其中材料科学共190位、化学180位、计算机科学165位，物理学和天文学、医学、生化，遗传和分子生物学和化学工程均有超过100位学者入选。
    “高被引”名单基于引文数据和分析产生，入选榜单是对这些科研人员的认可与支持，他们的研究内容促进了该领域的前沿发展和知识创新，同时也彰显了上榜学者在同行之中的重要学术影响力。
       其中我院共有10位教授入榜（注：以下数据来自爱思唯尔科技部中国区网站，排名不分先后）
       材料科学
      杨德仁，涂江平，蒋建中，谷长栋、韩伟强（作者单位非浙大）


      能源
      刘永锋，刘宾虹


      物理学和天文学
      崔元靖、钱国栋、叶志镇

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11月3日，2020年度何梁何利基金获奖科学家揭晓。52位杰出科技工作者被授予何梁何利科学与技术奖励。我院杨德仁院士获2020年度“何梁何利基金科学与技术进步奖”。

       半导体硅材料是信息产业的基础材料。杨德仁一直从事硅材料研究，他面向国家对集成电路（IC）等的重大需求，针对制约IC器件可靠性、成品率的硅材料的关键科学技术问题，取得了具有重要国际学术影响的系统性、创造性成就。他提出掺氮控制缺陷的原始创新思路，系统揭示了氮关缺陷的物理性质，解决了其在IC应用的关键科学问题，实现了成果转化及在国内大规模生产，引起国际上广泛关注、跟进和应用；提出微量掺锗减少晶格畸变的创新思路和技术，在国际上首先生长了4-12英寸微量掺锗直拉硅单晶，成功抑制了重掺硅外延层的失配位错，系统解决了其晶体生长、缺陷控制及在IC应用的基础科学问题，实现了我国特色硅单晶的成果转化及大规模生产；针对国际上未来IC器件对纳米硅材料的重大挑战，在纳米硅（点、线、管）领域取得系列创新成果。
       何梁何利基金是由香港爱国金融实业家何善衡、梁銶琚、何添、利国伟共同捐资4亿元港币于1994年3月30日在香港注册成立的公益性科技奖励基金，旨在奖励中国杰出科学家，促进祖国科学技术进步与创新。