日立高新超高分辨率场发射扫描电子显微镜 SU9000

日立2011年新推出了SU9000超高分辨冷场发射扫描电镜,达到扫描电镜世界二次电子分辨率0.4nm和STEM分辨率0.34nm。日立SU9000采取了全新改进的真空系统和电子光学系统,不仅分辨率性能明显提升,而且作为冷场发射扫描电镜甚至不需要传统意义上的Flashing操作,可以高效率的快速获取样品超高分辨扫描电镜图像。

特点:

1. 新型电子光学系统设计达到扫描电镜世界分辨率:二次电子0.4nm(30KV),STEM 0.34nm(30KV)。

2. Hitachi专利设计的E×B系统,可以自由控制SE和BSE检测信号。

3. 全新真空技术设计使得SU9000冷场发射电子束具有超稳定和高亮度特点。

4. 全新物镜设计显著提高低加速电压条件下的图像分辨率。

5. STEM的明场像能够调整信号检测角度,明场像、暗场像和二次电子图像可以同时显示并拍摄照片。

6. 与FIB兼容的侧插样品杆提高更换样品效率和高倍率图像观察效率。

项目技术指标二次电子分辨率0.4nm (加速电压30kV,放大倍率80万倍)1.2nm (加速电压1kV,放大倍率25万倍)STEM分辨率0.34nm(加速电压30kV,晶格象)观测倍率底片输出显示器输出LM模式80~10,000x220~25,000xHM模式800~3,000,000x2,200~8,000,000x样品台侧插式样品杆样品移动行程X±4.0mmY±2.0mmZ±0.3mmT±40度标准样品台平面样品台:5.0mm×9.5mm×3.5mmH截面样品台:2.0mm×6.0mm×5.0mmH专用样品台截面样品台:2.0mm×12.0mm×6.0mmH双倾截面样品台:0.8mm×8.5mm×3.5mmH信号检测器二次电子探测器TOP 探测器(选配)BF/DF 双STEM探测器(选配)

超高分辨率场发射扫描电子显微镜 SU9000是专门为电子束敏感样品和需最大300万倍稳定观察的先进半导体器件,高分辨成像所设计。